降低氧化铟锡和有机材料界面之电子注入能障—应用於高效率倒置式有机电激发光元件.doc

降低氧化銦錫與有機材料界面之電子注入能障—應用於高效率倒置式有機電激發光元件 Reducing Electron Injection Barrier between Indium-Tin Oxide and Organic Material—Application in High-Efficiency Inverted Organic Light-Emitting Devices 朱達雅(Ta-Ya Chu)1* 陳思邑(Szu-Yi Chen) 2 陳振芳(Jenn-Fang Chen) 1 陳金鑫(Chin H. Chen)2,3 1國立交通大學電子物理研究所 2國立交通大學顯示科技研究所 3國立交通大學電子與資訊研究中心 *E-mail：tayachu@ 摘要 本研究使用不同電子注入層材料降低氧化銦錫 (ITO)與有機材料電子傳輸層之間的能障，電子注入效率的提升機制可解釋為界面偶極矩與缺陷能階之產生，我們發現雙重電子注入層Mg/Cs2O:BPhen擁有最佳的元件效率，我們製作的倒置式有機電激發光元件電流效率高達6.3 cd/A，外部量子效率為2.1 %。倒置式有機電激發光元件可以由非晶矽薄膜電晶體驅動，是大尺寸主動有機電激發光顯示器的主要技術之一。 關鍵詞：電子注入、氧化銦錫、倒置式有機電激發光元件、非晶矽薄膜電晶體。 Abstract This paper reports that difference of electron injection materials can reduce the barrier height between the indium tin oxide and organic electron transfer material and the mechanism of electron injection can be rationalized by the formation of interfacial dipole and trap states. By using Mg/Cs2O:Bphen as electron injection bilayer, the inverted organic light-emitting device (IOLED) has achieved an efficiency of 6.3 cd/A and an external quantum efficiency of 2.1%. IOLED with this performance has great potential to be integrated with a-Si TFT for application in large active-matrix OLED displays. Keywords: electron injection、indium tin oxide (ITO)、inverted organic light-emitting device (IOLED)、a-Si TFT 前言 主動驅動的有機發光顯示器(Active Matrix Organic Light-Emitting Display, AMOLED) 的發展是目前平面顯示器中相當重要的技術之一，今年初由友達製作的2吋AMOLED成為 BenQ-Siemens S88手機的主要顯示面板，這款AMOLED是搭配低溫多晶矽的薄膜電晶體作為驅動電路，主要原因是P型的低溫多晶矽集極 (drain) 可與傳統的有機電激發光元件陽極氧化銦錫 (Indium Tin Oxide, ITO) 相連接，因此電晶體的驅動電路不會受到有機電激發光元件隨著驅動時間電壓的改變而影嚮，然而多晶矽 (a-Si) 只能製作 n型的薄膜電晶體，傳統有機電激發光元件的陽極ITO則必需連接在源極 (source)，閘極與源極間的電壓 (Vgs)則會受到有機電激發光元件內有機材料的影嚮，而造成顯示器壽命不佳的結果，這也是為何目前AMOLED的產品主要都是搭配低溫多晶矽薄膜電晶體驅動的原因之一。 然而非晶矽電晶體具有較佳的均勻性，在大尺寸的製造技術上也較低溫多晶矽成熟，在大尺寸顯示器中具有較佳的成本優勢，為了將有機電激發光元件與非晶矽薄膜電晶體結合，製作倒置式的有機電激發光元件即可解決上述問題，所謂的倒置式有機電激發光元件也就是將原本的製程順序顛倒[1]，將下基板電極當作陰極，依序蒸鍍有機電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層及上電極（陽極），如圖1所示。由於倒置式電激發光元件的下電極為陰極，因此可連接在 n型非晶矽薄膜電晶體的集極，電晶體電路就不會受到有機材料的影嚮了。 透明電極氧化銦錫在倒置式電激發光元件中作為陰極，其最大困難就是如何讓電子有