半导体材料和二极管.pptVIP

第一章 半导体材料及二极管;1.3 晶体二极管及其应用;1.3.1 晶体二极管的伏安特性; 二极管的正偏伏安特性方程: ; 二极管的反偏伏安特性方程: ;图1.12 二极管的伏安特性曲线; 当加在二极管上的反偏电压超过某一数值VBR时，反偏电流将急剧增大，这种现象称为二极管的反向击穿;导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种： 雪崩击穿 齐纳击穿;4.温度对二极管伏安特性的影响;5. Si二极管与Ge二极管的差别; 1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻 ;2.交流电阻 ;3.二极管的其它主要参数;; 1.3.3 二极管模型;例1.1 硅二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图1.19所示，求二极管工作点。;解：将二极管用恒压源模型近似后来估算二极管工作点。 ;2.二极管的交流小信号模型;例1.2 若在例1.1电路中串联一个正弦电压源 ，图1.21（a）为其电路图，估算此时二极管上交流电压与电流成分的振幅值 和 （T＝300K）。;解：当未加正弦电压源，即 时，由例1.1可知，二极管的工作点 ， ，则可估算出该工作点处的交流电阻为; 利用线性电路的叠加原理，可以画出只反映交变电压和交变电流之间关系的电路，称之为交流等效电路，如图1.21(b)所示，由此交流通路可求出 :;1.3.4 二极管应用电路; 图1.23 半波整流电路 ;全波整流电路;桥式整流电路;2.滤波电路;限幅电路是一种能限制电路输出电压幅值的电路。 ;图1.27 双向限幅电路; 钳位电路是一种能使整个信号电压直流平移的电路。在稳定状态下，输出波形完全是输入波形的复制品，但输出波形相对于输入波形有直流平移现象，平移程度取决于电路。 ;;1.3.5 稳压管及其应用 ;稳定电压 最小稳定电流 最大稳定电流 动态电阻 电压温度系数 ;3.稳压管电路 ;1）稳压原理;;例1.3 采用　　　　　　的Si稳压管2DW3的稳压电路如图1.34所示。如果输入电压　的波动　　　 ，试问输出电压的波动 　　　　　;解：;输入电压的变化量为：; 例1.4 为汽车上的收音机设计一个稳压电源。要求该稳压电源为汽车收音机提供一个9V的电压，稳压电源的输入电压来自汽车电瓶，电瓶电压的变化范围（11～13.6）V，收音机的电流介于0(关掉)～100mA(最大音量)之间。;解：（1）当负载电流最大 ，输出电压最小 时，流过稳压管的电流最小 ，则 （2）当负载电流最小 ，输入电压最大 时，流过稳压管的电流最大 ,则 ;令上两式相等，则:;提高训练： 如何设计小功率电压源电路？;1.3.6 PN结电容效应及应用;1.3.7 特殊二极管;1.3.8 小结;一、半导体知识 1．本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。 纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。;空穴是半导体中的一种等效载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。;2．杂质半导体 在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体。 在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。;在常温下，多子少子,且多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。这也是Si器件工作温度高于Ge器件的原因。; 3．半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金