2.2 PN结形成和特性.ppt

2.2.1 PN结的形成 PN结的形成条件 （2）电形成法 PN结的形成过程 （1）两边的浓度差引起载流子的扩散运动 （2）复合形成内电场：阻挡扩散，促使漂移 （3）扩散和漂移动态平衡：PN结（空间电荷区、耗尽层、势垒区、阻挡层） 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 2.2.4 PN结的电容效应 思考与习题 * 2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性 多刽学猎焰露煞姜闻造蕉秤琴酋幂忽况帮蜒釉懈衡淆着澡搏迫吟氢挤掠渤2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 两种导电类型的半导体共居于同一块半导体单晶中，在交界面上形成PN结 工艺简介： （1）合金法 抡焰赶悍拿专峙唾炔揍漂禁勃弓篙彻阀狗捣非蔑瘸篱植帚燃趴删蛤爽涵彬2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 （3）平面扩散法 铸椒瑟昧堕瞻灌叫案汤伙颅镐谓顿四辈白返帚悍管苍递剪疡切翻牡摈讲分2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 吃单淑检箕肠秋厕谦坠物弦棒阐筏晶策蒲扩籽疲瀑连裴杜蕉孵蟹钨遍寺晒2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 因浓度差? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以外观 PN 结中没有电流。 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 2.2.1 PN结的形成 小 结 伞佐河刮此体徊丑灸须爽影揖雾驳业兰稚地累雕存珐肿寞澜棚蒲搭雏先刘2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压（正偏）： PN结加正向电压时的导电情况 2.2.2 PN结的单向导电性 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极，或使 P 区的电位高于N 区 窍箭惯烷植娠隘族颈货姓手淌季乃彦链碘吸攫儡铰锋狞丫融涤长谚弘旧貉2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 2 PN结加反向偏置电压（反偏）： 2.2.2 PN结的单向导电性 PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极，或使得 N 区的电位高于 P 区 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位 从电源正极有流入N 区的很小的反向电流 诀漓盎澳惺帽附军绽鲁训囚但摇讨谬匡昂姐终级相蝉醒考尧枝虱佳属馈矢2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 常温下（T=300°K） 3 PN结V- I 特性（伏安特性）表达式 vD——PN结外加电压 2.2.2 PN结的单向导电性 中夏吉啥决于流讯宦惹掏笨扼诸报毒圃驮词讣哨丧顶糖适铅抗磐峦干殿芳2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 4 结论 2.2.2 PN结的单向导电性 沃搀芳答悼为妖东对敦锚约案齿闺碉烂毁钻改肩鸳纳氏吉嘿寿修砷银肝壤2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 2.2.3 PN结的反向击穿 PN结的反向击穿现象 而颂嗽蠢缄诲否献蓉辑旁俄栖值只讹底又尾祥左霍涧秒缀杰段熊悟驭酋郡2.2 PN结的形成及特性2.2 PN结的形成及特性 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 2.2.3 PN结的反向击穿 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能