CeO2110表面上CO氧化反应的密度泛函理论研究ADensity.PDF

2009 年第67 卷 化 学 学 报 Vol. 67, 2009 第24 期, 2765～2772 ACTA CHIMICA SINICA No. 24, 2765～2772 ·研究论文· CeO (110)表面上 CO 氧化反应的密度泛函理论研究 2 滕波涛* 蒋仕宇 郭晓伟 袁金焕 罗孟飞* (浙江师范大学物理化学研究所 浙江省固体表面重点实验室 金华 321004) 摘要 利用密度泛函理论系统研究了O 与CO 在CeO (110)表面的吸附反应行为. 研究表明, O 在清洁的CeO (110)表 2 2 2 2 面吸附热力学不利, 而在氧空位表面为强化学吸附, O2 分子被活化, 可能是重要的氧化反应物种. CO 在清洁的 CeO (110)表面有化学吸附与物理吸附两种构型, 前者形成二齿碳酸盐物种, 后者与表面仅存在弱相互作用. 在氧空位 2 表面, CO 可分子吸附或形成碳酸盐物种, 相应吸附能均较低. 当表面氧空位吸附O 后(O /O ), CO 可吸附生成碳酸盐或 2 2 v 直接生成CO , 与原位红外光谱结果相一致. 过渡态计算发现, O /O /CeO (110)表面的三齿碳酸盐物种经两齿、单齿过 2 2 v 2 渡态脱附生成 CO . 利用扩展休克尔分子轨道理论分析了典型吸附构型的电子结构, 说明表面碳酸盐物种三个氧原子 2 电子存在离域作用, 物理吸附的CO 及生成的CO2 电子结构与相应自由分子相似. 关键词 CO 氧化; CeO2(110)表面; 密度泛函理论; 扩展休克尔分子轨道理论 A Density Functional Theory Study of CO Oxidation on CeO (110) 2 Surface Teng, Botao* Jiang, Shiyu Guo, Xiaowei Yuan, Jinhuan Luo, Mengfei* (Zhejiang Key Laboratory of Chemistr