低量浓度掺杂L03+对KDP 晶体生长质量的影响 - 自然科学版 - 青岛大学.PDFVIP

第23卷 第1期 青 岛大 学学报 (自然科 学版 ) Vo1．23NO．1 2010年3月 JOURNALOFQINGDAOUNIVERSITY (NaturalScienceEdition) M ar．20 10 文章编号 ：1006—1037(2010)01—0045一O5 doi：10．3969／j．issn．1006—1037．2010．01．011 低量浓度掺杂 La3+对 KDP晶体生长质量的影响 赵严帅，滕 冰，钟德高，邵珠 臣，许 辉，由 飞 (青岛大学 物理科学学院，山东青岛266071) 摘要 ：在低浓度掺杂下，利用溶液降温法生长了KDP晶体和掺杂不 同量浓度三价 La抖 的KDP晶体 。通过对未掺杂 KDP晶体和掺杂 La。生长的KDP晶体对比研究发现，随 着 La抖离子掺杂量浓度的增加 ，抑制了柱面的扩展 ，减慢了KDP晶体生长速度 ，但是提 高了生长溶液的稳定性 ，同时减少了晶体 中缺陷的产生。对晶体柱 区进行显微硬度的测 量发现 ，随La计离子掺杂量浓度的增加 ，晶体的致密度降