多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备.PDF

多孔TiO2 基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备 杨靖霞，石勇，杨建立，靳正国 天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津（300072 ） E-mail：yjx09tj@ 摘 要：采用电化学沉积法，以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料，在多孔TiO2 基底上于 沉积电位-1100mV 成功沉积制备出CuInSe2 薄膜。直接沉积的薄膜已有CIS 结晶，但400 ℃ 下热处理，可以明显提高其结晶程度并改善光学性能。TiO2 基底上CIS 薄膜的禁带宽度为 0.89~0.92eV。 关键词：CuInSe2 薄膜；阴极电沉积；TiO2 基底；热处理 中图分类号：O614.242 1. 引 言 三元半导体化合物 CuInSe2 由于合适的禁带宽度（1.04eV），且具有高的光吸收系数 （α10-5cm-1 ）和能量转换效率（17%），已成为理想的光伏电池材料之一。近年来，以纳 米/微米结构的 TiO2 为基底的无机半导体极薄层吸附的太阳能电池(extremely thin absorber solar cell, ETA 电池)得到了发展[1]，采用CuInSe2 等无机敏化剂，不仅可以通过控制粒子尺 度、化学计量比对带隙进行调节，还可延长电池寿命、稳定转化效率、提高抗辐射，应用前 景广阔。 电沉积制备CuInSe2 薄膜具有制备方法简单、成本低、薄膜的厚度及颗粒大小易控制、 适于大面积规模化生产等优点。但同时也存在一定的不足，如不易得到形貌较好且符合化学 计量比的 CuInSe2 薄膜等。本实验采用一步恒电位沉积法在多孔 TiO2 基底上制备 CuInSe2 薄膜，考察沉积电位及热处理对 CIS 薄膜制备的影响，在此基础上得出了薄膜的禁带宽度。 2. 实验部分 2.1 试剂 分析纯 CuSO4·5H2O、In2(SO4)3 和 SeO2 作为原料被采用。电沉积水溶液按 CuSO4 0.002mol/L，In2(SO4)3 0.002mol/L，SeO2 0.004mol/L 的配比浓度制成。混合电沉积溶液的 pH 值用 0.5mol/L 的H2SO4 调节到 2.0 ，加入 0.1mol/L 柠檬酸络合剂后常温搅拌 15min。 2.2 电极的制备 本实验的工作电极是涂敷了多孔 TiO2 薄膜的ITO 导电玻璃，首先对ITO 玻璃进行清洗， 然后进行 TiO2 薄膜涂敷。 ITO 玻璃的清洗：依次用丙酮、异丙醇、乙醇分别超声清洗 15min，之后置于去离子水 中储存备用。 多孔 TiO2 薄膜采用溶胶-凝胶法制备，以分子量为 1000 的PEG 作模板剂，溶胶中钛的 浓度为 0.2mol/L～0.5mol/L 。详细的多孔TiO2 薄膜的制备参见文献[2] 。 2.3 电化学研究 伏安单扫曲线测量使用 TD3691 恒电位仪，涂敷有多孔 TiO2 薄膜的 ITO 导电玻璃为工 作电极，饱和的 Ag/AgCl 电极为参比电极，大面积的Pt 片作为对电极。扫描电位从-1500mV 到 1500mV，扫描速度为 50mV/S 。 - 1 - 2.4 薄膜的沉积与处理 CuInSe2 薄膜采用上述电沉积水溶液于-1100mV 恒电位沉积制备，沉积在室温静置条件 下进行。沉积后薄膜与 Ar 气氛保护下在 400 ℃热处理 1h。 2.5 薄膜测试分析 薄膜的 XRD 分析采用 D/Max-2500Philips X 射线衍射仪进行。表面形貌通过 XL-30Philips 扫描电子显微镜观测。透光谱通过 330 (Japan) Hitachi 紫外-可见光分光光度计 (UV －VIS)测量。 3. 结果与讨论 3.1 阴极电沉积反应 本试验采用阴极电沉积法制备 CuInSe2 薄膜，为使 Cu、In 、Se 三种元素得到共沉积， 应使它们的沉积电位尽可能接近或相等，本实验中发生的相关电极电位方程如下[3] ：