超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光-应用化学.PDF

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超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光-应用化学

第29卷 第12期 应 用 化 学 Vol.29Iss.12 2012年12月        CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY        Dec.2012 超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备 蓝色磷光反转底发光有机发光二极管   史常生 陈江山  马东阁 (中国科学院长春应用化学研究所 长春 130022) 摘 要 在氧化铟锡(ITO)阴极上依次蒸镀2nm铝和2nm碳酸锂 (LiCO)薄膜作为电子注入层,成功制备 2 3 出器件结构为ITO/Al/LiCO/SPPO13/SPPO13∶FIrpic/TCTA/MoO/Al(SPPO13:2,7双(二苯基磷)9,9′螺二 2 3 3 [芴];FIrpic:双(4,6二氟苯基吡啶N,C2)吡啶甲酰合铱;TCTA:4,4′,4″三(咔唑9基)三苯胺)的蓝色磷光 反转底发光有机发光二极管(IBOLED)。结果表明,Al/LiCO作为电子注入层可以有效降低ITO与有机材料 2 3 之间的电子注入势垒,蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11V降至42V,器件的发光效率也得到有效提高。 蓝光磷光IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了282cd/A和196lm/W,制备出的反转结构器件 性能可与传统正置结构比美,说明Al/LiCO可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层。 2 3 关键词 有机发光二极管,反转底发光,电子注入层,氧化铟锡阴极 中图分类号:O649;TN837.3     文献标识码:A     文章编号:10000518(2012)12141205 DOI:10.3724/SP.J.1095.2012.20445 [13] 有机发光二极管(OLED)由于其在全彩显示中具有很好的应用前景而受到广泛关注 。OLED显 示按照驱动方式不同可以分为无源驱动OLED与有源驱动OLED,其中有源驱动OLED被认为在未来平 板显示中具有巨大潜力。在有源驱动 OLED中,低温多晶硅和无定形非晶硅薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)是2种主要的基板材料。其中,无定形非晶硅由于集成性、产量和成本等方面的优势,相 比低温多晶硅更适合应用在大规模显示中。但由于无定形非晶硅TFT是n型晶体管,导致传统结构的 OLED很难与无定形非晶硅TFT良好集成。相对于传统结构的OLED来说,反转底发光有机发光二极管 (InvertedBottomemissionOrganicLightemittingDiodes,IBOLED)由于其器件底部为阴极,可以直接和 n型TFT的漏极相连,使得 OLED和 n型TFT可以更好的集成在一起,从而可提高显示器件的稳定 [4] 性 。 不同于常规OLED中空穴与电子分别由透明底阳极与反射顶阴极注入的方式,在IBOLED器件中, 空穴和电子是分别由反射顶阳极和透明底阴极注入的。当选择最常用的透明电极材料 ITO作为 IBOLED的阴极时,ITO本身较高的功函数(约47eV)使器件阴极与相邻有机功能层的最低未被占据 的分子轨道(LowestUnoccupiedMolecularOrbital,LUMO;通常小于35eV)之间存在着较大的电子注入 势垒,这将导致器件中的电子注入非常困难。所以,选择适当的电子注入层(ElectroninjectionLayer, EIL)来降低ITO阴极与有机层之间的电子注入势垒,使电子可以高效地注入到器

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