铟镀层与微电子基材介面恒温相变化研究Isothermalheating-YOKE.PDF

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铟镀层与微电子基材介面恒温相变化研究Isothermalheating-YOKE

銦鍍層與微電子基材介面恆溫相變化研究 Isothermal heating phase evolution of Indium coating layer on different microelectronic substrate 1 2 2 2 *盧韋志 、宋振銘 、白宗運 、于杰立 Wei-Chih Lu 、Jenn-Ming Song 、Tsung-Yun Pai 、Chieh-Li Yu 1 國立東華大學材料科學與工程學系 2 國立中興大學材料科學與工程學系 摘要 固液互擴散接合 (Solid-liquid interdiffusion bonding, SLID bonding)被廣泛運用於需低溫接合 可耐高溫操作之微電子接點。常使用之銲料主要有 Sn 、In 兩種,其中In的熔點低,可在低溫 下快速與基板反應,形成具較高熔點之介金屬相。本研究觀察 In 鍍層與 Cu 、Ag 、Au 等微電 o 子基材間之介面反應與恆溫相變化。實驗結果顯示在180 C 持溫,In/Cu在 5 分鐘時已轉換成 單相 Cu In ,In/Ag在蒸鍍 In層後即生成 AgIn ,在30 分鐘轉換為Ag In ,在真空退火延續 11 9 2 9 4 至90 分鐘時開始於Ag In 基地中析出Ag In 。In/Au在持溫 2.5 分鐘轉換為AuIn ,在5 分鐘 9 4 3 2 後開始於 AuIn 基地中析出Au In 與Au In 。此外,在使用奈米壓痕進行機性測試後位於Ag In 2 9 4 10 3 9 4 基地之壓痕及其周圍,於室溫下觀察到細小散佈密集之奈米微粒,經推測為應變誘發所析出之 Ag In 。 3 ABSTRACT Solid-liquid interdiffusion bonding (SLID) bonding, are widely used in the manufacturing of electronic joints for high temperature applications via low temperature processes .there are two kinds of solder we usually used are Sn and In, In has a relatively lower melting temperature (156.6oC) and

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