SiC灭磁组件在励磁系统中应用.doc

METROSIL?SIC 非线性电阻在灭磁系统中的应用 目录 TOC \o 1-3 \u 前言 PAGEREF _Toc216859781 \h 3 1 MI METROSIL SiC非线性电阻性能特征 PAGEREF _Toc216859782 \h 4 1.1 SiC非线性电阻V－I特性 PAGEREF _Toc216859783 \h 4 1.2 SiC非线性电阻组合特性表达式 PAGEREF _Toc216859784 \h 5 1.3 系数β及C对SiC非线性特性曲线的影响 PAGEREF _Toc216859785 \h 6 1.4 SiC非线性电阻的温度系数 PAGEREF _Toc216859786 \h 8 1.5 温升计算 PAGEREF _Toc216859787 \h 9 1.6 Metrosil SiC非线性电阻的特性“匹配” PAGEREF _Toc216859788 \h 10 1.7 ZnO非线性电阻的特性“匹配” PAGEREF _Toc216859789 \h 11 1.8 Metrosil SiC非线性电阻时效性 PAGEREF _Toc216859790 \h 12 1.9 Metrosil SiC非线性电阻的故障损坏形式 PAGEREF _Toc216859791 \h 12 1.10 SiC非线性电阻的灭磁时间 PAGEREF _Toc216859792 \h 13 1.11 技术规范 PAGEREF _Toc216859793 \h 14 1.12 Metrosil SiC非线性电阻的器件代码 PAGEREF _Toc216859794 \h 15 1.13 Metrosil SiC非线性电阻的参数确定 PAGEREF _Toc216859795 \h 15 1.14 应用实例 PAGEREF _Toc216859796 \h 15 结语： PAGEREF _Toc216859797 \h 16  METROSIL?SIC非线性电阻在灭磁系统中的应用 Dr. Jeff Robertson1 （1、MI科技材料公司，英国曼特斯顿 ） 摘要：本文从工程应用角度出发，系统和完整地介绍了英国MI公司制造的METROSIL?（注册商标）系列SiC碳化硅非线性电阻的性能特征和技术参数等关键技术问题，本文对灭磁技术的发展提供了有益的借鉴。 关键词：SiC非线性电阻；灭磁系统；温升；温度系数 前言 MI Materials 公司位于英国曼彻斯特市Trafford 工业园，从事于工业和科研特殊材料的研制，作为全球供应商，为世界许多知名大中型企业提供多种高科技材料及高性能工业用品。其中，对碳化硅产品已有70年的生产经验。 MI公司成立于1997年，其前身源于英国GEC公司的研究部门。在产品开发方面，特别是对于其主流产品之一Metrosil SiC 碳化硅非线性电阻，产品应用遍及世界各地，客户有：ABB、Alstom、Siemens、Areva以及VA TECH SAT等国际制造商。 在我国和世界著名的三峡水电厂左岸及右岸26台700MW水轮发电机组励磁系统中均采用了MI Materials 公司生产的Metrosil SiC非线性灭磁电阻。 1 MI METROSIL SiC非线性电阻性能特征 1.1 SiC非线性电阻V－I特性 在评价非线性电阻电气特性时，通常以非线性电阻系数予以表述，相应表达式为： V = CIβ (1) I = HVα (2) 式中：V为非线性电阻两端的电压；I为流过非线性电阻的电流；C，H为非线性电阻位形系数，与非线性电阻的体积形状，电阻片的串、并联组合以及材质有关；β，α为电阻非线性系数（β=1/α）。 对于SiC非线性电阻，由于在较大的电流变化范围内，其电压变化范围相对较小，不便于查对，为此在实用中多将式(1)及式(2)以对数坐标形式来表示。 对于式(1)其对数表达式为： logV=logC+βlogI (3) 在以V—I表示的双对数坐标系中，此时非线性电阻的伏安特性近似为一条直线，如图1所示。 10100 10 100 1000 10000 10 100 1000 10000 直流电流（A）) 直流电压（V）) 图1 Metrosil spec.6298 600A/us16/p SiC 非线性电阻V—I特性曲线 式(3)说明，在V—I双对数坐标系中，系数C等于I=1A时，V—I特性曲线与V轴相