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SiC灭磁组件在励磁系统中应用
METROSIL?SIC
非线性电阻在灭磁系统中的应用
目录
TOC \o 1-3 \u 前言 PAGEREF _Toc216859781 \h 3
1 MI METROSIL SiC非线性电阻性能特征 PAGEREF _Toc216859782 \h 4
1.1 SiC非线性电阻V-I特性 PAGEREF _Toc216859783 \h 4
1.2 SiC非线性电阻组合特性表达式 PAGEREF _Toc216859784 \h 5
1.3 系数β及C对SiC非线性特性曲线的影响 PAGEREF _Toc216859785 \h 6
1.4 SiC非线性电阻的温度系数 PAGEREF _Toc216859786 \h 8
1.5 温升计算 PAGEREF _Toc216859787 \h 9
1.6 Metrosil SiC非线性电阻的特性“匹配” PAGEREF _Toc216859788 \h 10
1.7 ZnO非线性电阻的特性“匹配” PAGEREF _Toc216859789 \h 11
1.8 Metrosil SiC非线性电阻时效性 PAGEREF _Toc216859790 \h 12
1.9 Metrosil SiC非线性电阻的故障损坏形式 PAGEREF _Toc216859791 \h 12
1.10 SiC非线性电阻的灭磁时间 PAGEREF _Toc216859792 \h 13
1.11 技术规范 PAGEREF _Toc216859793 \h 14
1.12 Metrosil SiC非线性电阻的器件代码 PAGEREF _Toc216859794 \h 15
1.13 Metrosil SiC非线性电阻的参数确定 PAGEREF _Toc216859795 \h 15
1.14 应用实例 PAGEREF _Toc216859796 \h 15
结语: PAGEREF _Toc216859797 \h 16
METROSIL?SIC非线性电阻在灭磁系统中的应用
Dr. Jeff Robertson1
(1、MI科技材料公司,英国曼特斯顿 )
摘要:本文从工程应用角度出发,系统和完整地介绍了英国MI公司制造的METROSIL?(注册商标)系列SiC碳化硅非线性电阻的性能特征和技术参数等关键技术问题,本文对灭磁技术的发展提供了有益的借鉴。
关键词:SiC非线性电阻;灭磁系统;温升;温度系数
前言
MI Materials 公司位于英国曼彻斯特市Trafford 工业园,从事于工业和科研特殊材料的研制,作为全球供应商,为世界许多知名大中型企业提供多种高科技材料及高性能工业用品。其中,对碳化硅产品已有70年的生产经验。
MI公司成立于1997年,其前身源于英国GEC公司的研究部门。在产品开发方面,特别是对于其主流产品之一Metrosil SiC 碳化硅非线性电阻,产品应用遍及世界各地,客户有:ABB、Alstom、Siemens、Areva以及VA TECH SAT等国际制造商。
在我国和世界著名的三峡水电厂左岸及右岸26台700MW水轮发电机组励磁系统中均采用了MI Materials 公司生产的Metrosil SiC非线性灭磁电阻。
1 MI METROSIL SiC非线性电阻性能特征
1.1 SiC非线性电阻V-I特性
在评价非线性电阻电气特性时,通常以非线性电阻系数予以表述,相应表达式为:
V = CIβ (1)
I = HVα (2)
式中:V为非线性电阻两端的电压;I为流过非线性电阻的电流;C,H为非线性电阻位形系数,与非线性电阻的体积形状,电阻片的串、并联组合以及材质有关;β,α为电阻非线性系数(β=1/α)。
对于SiC非线性电阻,由于在较大的电流变化范围内,其电压变化范围相对较小,不便于查对,为此在实用中多将式(1)及式(2)以对数坐标形式来表示。
对于式(1)其对数表达式为:
logV=logC+βlogI (3)
在以V—I表示的双对数坐标系中,此时非线性电阻的伏安特性近似为一条直线,如图1所示。
10100
10
100
1000
10000
10
100
1000
10000
直流电流(A))
直流电压(V))
图1 Metrosil spec.6298 600A/us16/p SiC 非线性电阻V—I特性曲线
式(3)说明,在V—I双对数坐标系中,系数C等于I=1A时,V—I特性曲线与V轴相
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