45纳米后,摩尔定律还能坚持多久 How Far can Moores Law Keep Effective after 45nm.pdfVIP

栏目编辑l 崔澎l 45纳米后，摩尔定律还能坚持多久? Law Effectiveafter45nm? HowFarCaBMoore’SKeep 莫大康 0．13微米时，曾遇到阻碍。因为芯片制造厂同时 自1970年发明MOST．艺及73年推出CMOS 工艺以来，至今还没有发现可替代它的工艺，足 开始引入铜互连及低k介质材料对于这两种全新 见cMOs工艺的经济合理性。因此，至今硅基材的工艺技术，工业显得力不从心，后来经过努力 料的应用仍在继续延伸。然而，在晶体管工艺制 才闯过关。 造中采用二氧化硅作为栅极材料，实质上已逼 如今，同样在45nmT_艺时，也将面临采用 近极限。如65纳米工艺时，二氧化硅栅极的厚 193浸液式光刻及超低k介质材料，包括高k介 度己降低至1．2纳米，约5个硅原子层厚度，如质材料(k值在15至20)及金属栅等新工艺技术。 果再继续缩小，将导致漏电及功耗急剧上升。 多项新技术及新设备的同时加入，使得工业也 面临同样的困境。业界一致认为，45纳米也会是 晶体管I艺技术的叉一个里程碑 工业的一个坎。反映在如TI、NXP等在内的大 Intel共同创始人GordonMoore说，采用公司，因承受不住高昂的研发费用，而退出45纳 米以下的发展，转而与台积电合作。 “high-k”和金属栅电极材料，标志着从推出多晶 硅栅MOS晶体管以来，晶体管技术的一个最大 的突破，具有里程碑作用。高k及金属栅结构与 况，并声称是全球第一批采用45纳米工艺，预 传统的晶体管栅结构比较如图1所示。 期到2007年下半年时量产。目前Intel己经有三 在半导体制造工艺中采用二氧化硅作为栅 个芯片厂能进行45纳米器件生产。包括俄勒冈 介质材料及多晶硅作为栅电极材料的组合已经 州的DID厂、亚利桑那州的F32和以色列的 成功地运行了30多年，一直使用到90纳米节点 图1高k及金属栅结 还相安无事。之后在65纳米工艺节点时才发现 工艺将逐渐退出，而65纳米将占产能的90％，并 构与传统的晶体管栅 漏电流及功耗急速上升，开始引起业界的警觉。 计划于2011年推进22纳米。 结构比较 虽然也曾采用如引变硅等技术来继续延伸，但 据Intel报道，改用高k介质材料后，其漏电 是自进入45纳米节点 量降为原来十分之一。另外，由于高k栅极材料 后，矛盾Et趋突出，如 与现有的硅栅电极并不相容。因此必需采用新的 果想继续缩小尺寸， 金属栅电极材料来增加驱动电流。而45纳米工艺 就必须采用新的材料。 可使晶体管的密度提升2倍，运作时的耗电量减 30％，而总的工艺成本费用仅上升4％。