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AlGaInP红光半导体激光器的增益光开关 Gain Switch of an AlGaInP Red Light Semiconductor Laser Diode
第29卷第7期 半 导 体 学 报 V01.29No.7
2008年7月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS July,2008
GainSwitchofanAIGalnPRed SemiconductorLaserDiode
Light
Liu Chen
Yunta0’,SongGuofeng,andLianghui
(Nano Semiconductors·Chinese
Optoelectronic of 100083.China)
Laboratory,Institute AcademyofSciences,Beijing
solvethe mode
Abstract:We rate thebehaviorofa switchofanA1-
single coupledequationsbycomputer,simulate gain
OalnPred semiconductorlaser
diode,andfindthecharacteristicofFWHMof withthe of
light pulses amplitude
changing
modulation bias
current,andthemodulated thisbasis,weconduct
signal,the frequency.On experiments.The
experiment
resultsaccordwiththesimulations
well.
words:red laser
Key light;semiconductordiode;gainswitch;pulse
PACC:7865P;7850GEEACC:2520D
CLC
nnmbcr:TN248Documentcode:A ArticleID:0253-4177(2008)07.1274.04
ulated the mode rate
bysolving
single coupledequa-
1 Introduction tions numerical
through simulation:
AnAlGalnPred laser 塑=盟一一n—vg(n)sdt q。d。 r∞
light diode(wavelength
from650
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