CMP加工过程中均匀去除率的研究 Symmetrical Wipe Rate Research of CMP Systems Process.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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CMP加工过程中均匀去除率的研究 Symmetrical Wipe Rate Research of CMP Systems Process.pdf

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CMP加工过程中均匀去除率的研究 Symmetrical Wipe Rate Research of CMP Systems Process

国喜工吧壹用馒舀前道制造 IC Eguipment for Electronic Products Manufacturing CMP 加工过程中均匀去除率的研究 ! # !中国电子科技集团公司第研究所北京东燕郊 45 10 1601 ! ! # 摘要半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平 CMP chemical mechanical planarization 化 ! 学机械抛光是制造工艺中进行全局平坦化唯一的途径分析了针对大直径晶圆进行全局平坦 IC 化!达到面型精度和表面完整性的要求而采取的区域压力控制技术$ 关键词全局平坦化化学机械抛光抛光头区域压力控制 ! # # # 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN305.2 A 1004-4507 （2007）0 1-0058-04 Symmetrical Wipe Rate Research of CMP Systems Process CHONG Bao-chun （The 45th Research Institute of CETC ，East Yanj iao, Beij ing 10 160 1,China） ! Abstract At present, semiconductor manufacture technology has attained a sub-micron level, and CMP （chemical mechanical planarization）is the only approach of processing whole plainness in IC manufac- ture technics. Aiming at big-diameter wafer processed whole plainness, the paper analyses field pressure control technology of CMP system for attaining surface shape precision and surface integrality reguire- ment. Keywords: Whole plainness; CMP; Carrier; Field pressure control 1 引言随着金属层数的增加，刻蚀要求每层表面十分平坦，光刻的焦深必须由全局平坦化来支持，传统的半导体晶圆不断向大直径、集成电路器件朝小一些平坦化技术只能完成局部平坦化，CMP 是能体积、高密度的方向发展，超大规模集成电路的发够完成全局平坦化的技术