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CM P后的晶圃清洗 上海梭伦信息科技有限公司 并旋干， 使用有机硅酸盐玻璃(OsG)在铜制程中作为低 介电系数的介电层，使得化学机械研磨(CMP)后的 然后等待后续制程(即铜晶种层沉积)。使用有 晶圆清洗成为一大挑战。由于OsG的甲醇高含量机的界面活性剂可能导致铜和介电层表面残留一层 会形成疏水性的表面，而难以用水溶液来湿润它的 有机污染物。在铜晶种层沉积之前，这些界面活 表面。添加界面活性剂可以改善此问题，但也提 性剂与／或BTA和铜的复合物必须先去除，以确保 高了有机物污染的风险。此外，水痕可能会使检 镀上的铜晶种层与前一层的铜能够良好的接合。 测机台无法侦测出影响良率的缺陷。在这篇文章 习用的前处理制程是用氩离子溅射铝图案以去 中，使用数种用于化学机械研磨后的清洗剂尝试解 除表面的氧化铝，然而，此一方法对铜制程并不 决这些问题。 适用。电浆机台会因为有机物污染，而使产量大 于介电层上的碳残留物会使后制程薄膜有接合 受影响。使用电浆制程去除有机污染物，不论是 不良的问题，因而抛光时易导致薄膜的剥落与电镀 利用氧化或还原反应，皆可能因为所选用的介电层 时容易产生孔隙，并且被包覆于层问的有机污染物 材料，而大受限制。有些低介电系数的介电层材 在热制程时会被分解，因而导致两层薄膜的剥离。 料非常容易被电浆制程损坏，所以，必须在化学 在铜制程中，通常以含有三氮唑的溶液保护抛光后 机械研磨后的清洗制程中做BTA去除的处理，以期 晶圆的铜图案，避免在等待下一制程时发生铜腐 改善拥有成本(CoO)，达到适当的晶圆生产量，同 蚀。铜研磨液也含有三氮唑和其它的有机化合物用 时避免介电质损坏。我们测试了数种化学机械研磨 以形成钝化层来控制抛光时的化学反应。铜的氧化 后用的清洗剂，有机污染物可被有效的去除；藉 反应过程是由铜和氧化亚铜(Cu：O)的连续氧化而形 由化学机械研磨制程和清洗机台的最佳化，可以减 成氧化铜(CuO)。 少有机物污。 最常用的铜抗腐蚀剂是苯基迭氮(BTA)，氧化 亚铜非常容易与苯基迭氮反应。三氮唑和BTA已经1 去除水痕 被确认是在化学机械研磨之后的晶圆清洗时常见的 有机污染源，其它的有机污染源包括抛光垫、机 水痕会使测量亮点缺陷(LPD)的机台感应器饱 台结构材料、O形环、封合材料、晶舟和刷子等。 和，感应器饱和后将无法侦测到影响良率的缺陷。 然而，BTA看来是共同的有机污染源，除了用来水痕在OSG上的成因尚未完全被了解，由前段制 钝化铜以形成保护，大多数的铜研磨液也含有BTA程(FEOL)的数据显示水痕是由硅的蚀刻造成。硅和 参与起始的抛光反应。 铜是疏水性的，二氧化硅(SiO：)和氧化铜是亲水性 在铜制程的化学机械研磨中，等待下一制程时 的。在FEoL的清洗时，水痕可能是由水溶液在表 经常喷洒稀释的BTA水溶液来保护晶圆，并保持晶面形成串珠状的蚀刻凹痕，或者是由不能溶解的氧 圆处在湿润的状态下。在化学机械研磨制程后，晶 化物沉积在硅的表面所形成。清洗剂的酸碱度能影 圆经常被浸泡在稀释的BTA水溶液中，用纯水冲洗响水痕的生成，在纯水冲洗的期间，水痕的生成 万方数据 与酸碱度和氧气相关。 根据文献指出减少纯水中的氧气含量会影响水 验，并用扫瞄式电子显微镜分类缺陷。 痕的形成。在低酸碱度时，H：siO。(间硅酸)的溶解 未研磨的毯覆式珊瑚晶圆则用来评估水痕的问 度低而易在表面析出；硅酸会溶解在更高的酸碱度 题。利用与去除BTA研究时相同的非接触式的清洗 且不会在晶圆表面析出。 机台和制程参数，KLA—TencorsPl系统用来做全 晶圆扫瞄以寻找典型的放射状转动水痕样式。使用 水痕在后段制程(BEOL)形成的机制目前亦尚未 了解，不同于硅在FEOL清洗步骤的状况，在BEOL纯