CMP系统中抛光头与抛光台运动关系分析 Kinematic Relationship between Polishing Head and Polishing Table in CMP System.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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CMP系统中抛光头与抛光台运动关系分析 Kinematic Relationship between Polishing Head and Polishing Table in CMP System

电子工业毫用设菁 ·专题报道· CM P系统中抛光头与抛光台逞动关系分析衣忠波 (中国电子科技集团公司第四十五研究所材料设备事业部，北京东燕郊065201) 摘要：目前半导体制造技术已经进入0．13um、300mm时代，随着硅片尺寸的增大以及特征线宽的减小．作为目前硅片超精密平坦化加工的主要手段一化学机械平坦化，已经成为IC制造技术中不可缺少的技术。介绍了在化学机械抛光过程中，可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置，降低晶片表面不均匀度，从而更好地实现晶片局部和全局平坦化。关键词：化学机械抛光；晶片表面不均匀度；去除率中图分类号：TN305．2 文献标识码：A Kinematic between Head RelationslIipPolishing and TableinCMP Polishing System ⅥZhong-Bo 45thResearchInstitute East (The ofCE汀C，BeijingYanjiao065201，China) semiconductor hascomeimotheeraof’0．13mnand300mm． Abstract：Now manufacturingtechnology ChemicalMechanical themost methodtomake Polishing(CMP)isimponant precisionplanartechnol— thesizeofwaferbecomesandmeminimumfeaturesizeofmicroelec臼．onicdeVicesbe- ogy，as bigger comes hasbecomesthe ofIC．This introducesthatwecanre- smaller，and necessa巧tecllIlologypaper duceWiminwafer achieVeandfIlU the nonunifo珊时(WIWMJ)topart planarizationbydistributing of headand tableinCMP speedpolishing polishing system． Mechanical Rate Keywords：ChemicalPolishing；WIⅧ讯7；Removal 1 引言行业实现晶片全局平坦化的主流技术。化学机械抛光系统主要构造是由一个主动旋转的晶片夹持系目前化学机械平坦化技术已成为半导体加工统、承载抛光垫的抛光台和抛光浆料供给装置三大收稿日期：2007．06—05 作者简介：衣忠波(1980．)，男，大学本科学历，现主要从事半导体设备的研究工作。 ◎(总第150期)嬲曩卿万方数据团竺三三I业!!三竺苎：童墨堕遒：部分组成。根据承载抛光垫之抛光台的工作方式的有关，并受抛光