CMOS集成温度传感器中的器件模型分析 The Analysis of Device-Model in CMOS Integrated Temperature Sensor.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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CMOS集成温度传感器中的器件模型分析 The Analysis of Device-Model in CMOS Integrated Temperature Sensor

第6卷，第7期电子与封装总第39期 vol6 No7 2006年7月 ELECTRONICSPACKAGING ，／i、，”。。、／… 、、?，。’＼ (、电，)(路)I设)(计，j CMOS集成温度传感器中的器件模型分析熊琦1一，曾健平2，彭伟2，曾云2 (1．湖南工程职业技术学院，长沙410015；2．湖南大学应用物理系，长沙410082) 摘极型器件进行了分析对比，选用后者更适合作为cMOS集成温度传感器的器件，并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析，最后对不同类型电阻进行了分析对比，为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。关键词：集成温度传感器；亚阈值模型；压电结型效应；电阻中图分类号：TN402 文献标识码：A The ofDeVice-ModelinCMoS Sensor Analysis Integ阳tedTemperatulle XIONG YUn2 Qil，，ZENGJian-pin92，PENGWei2，ZENG Hunnn (1．1nstttHteof EngtneertngProfession 2．上)I芝p口，．f，押e行fD厂仰，fedP，杪sfcs，Ⅳ“，1日，l己协fVPrsf钞，I[劢口_rzgs而口410082，CIllf，l口夕 tothecommandtodeVicesinCMOS Abstract：According integratedtemperaturesensor，the modeland modelofMOsdeviceswere the laterw蜗chosenfor analyzed bipolar comparatiVely．Inresult，the itsmore inJluenceofsubstratePNPtransistorto sensor adV蛐tages．Inaddition，the temperaturewas蛐alyzed． Inthe resistorswere ofaboVemakethe foundationofthe end，Varies analyzedcomparatiVely．All theory of sensor． designtemperature words： subthresholde丘bctof resistor 1妯y integratedtemperaturesensor； mode； piezo-junction；在标准CMOS工艺下的集成温度传感器设计中，指数关系。yG。大于阈值电压的区域叫作强反型区作为感温元件，目前广泛采用的是亚阈值工作的域；K。低于阈值电压的区域叫作亚阈值或弱反型区 MOS场效应晶体管和与CMOS工艺完全兼容的衬底域(实际上这两个区域的转变并不是十分明显)。 PNP晶体管。而电阻在温度传感器中也是必不可少的假定沟道长度足够长，吒。=o以及％。4V，则元件之一