IC制备中钨插塞CMP技术的研究 Study of CMP Technology for Tungsten Plug in ULSI.pdfVIP

IC制备中钨插塞CMP技术的研究 李薇薇 周建伟 尹睿 刘玉岭 河北工业大学微电子研究所 天津 300130 摘要 对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化 CMP的原理及工艺进行了分析 对 钨抛光浆料的组成成分进行了研究 开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料 并对钨抛光浆料 今后的发展进行了展望 关键词 钨 化学机械全局平面化 抛光浆料 碱性 中图分类号 TN405 文献标识码 A 文章编号 1003-353X(2006)01-0026-03 ( 300130,China) Abstract: slurry is forecasted. Key words: tungstenCMPslurryalkalescence 1 前言 器件 多层布线的每一层都必须进行全局平面化 化学机械抛光CMP是目前最好的也是唯一能实现全 随着半导体技术的不断发展 集成电路中器件 局平面化的技术 多层布线工艺中必须对介层洞外 的几何尺寸不断缩小 已经实现了在更小的芯片上 残留的钨进行CMP达到全局平面化才能继续在 集成更多的元器件 在超大规模集成电路中 要在 上面布线 否则会导致导线断裂 造成严重的后 同一平面上避免连线交叉是十分困难的 为了能在 果[3] 有限的晶片表面上有足够的金属互联线 出现了多 层布线 铝是一种常用布线材料[1] 其导电性良 2 钨CMP的机理 + + 好 附着力强 易刻蚀 与n/p形成极好的欧 目前CMP机理模型大多采用Preston方程 姆接触 但是铝抗电子迁移能力差 传统式的DC R=KPVR为抛光速率 P为压力 V为抛光垫 金属溅镀法沉积铝时 阶梯覆盖率会随着接触窗尺 与晶片的相对转速 主要考虑压力 转速抛光垫 寸的缩小变差 在IC器件高宽比急剧增加的情况 等机械作用对抛光速率的影响 它只从机械作用的 下 Al并不适合应用在插塞的制作上[2] 角度定性地给出了去除速率与压力和转速的关系 金属钨在高电流密度下 抗电子迁移好 不 而没有考虑化学作用 而化学作用应更复杂重要 形成小丘 应力低 而且能够与硅形成很好的欧姆 展现化学作用速率的是Arrhenius方程 接触 所以可作为接触窗及介层洞的填充金属及扩 散阻挡层 对于最小特征尺寸在0.35m及以下的 E a V K exp( ) CMP是一个多相作用过 RT 基金项目 河北省自然基金资助项目 599041 26 半导体技术第31卷第1期 2006年1月 万方数据 程 是机械作用与化学作用互相加强与促进过程 备的成品率和可靠性 选择磨料时 应选择分散性 首先是反应物在机械压力和磨料粒子搅拌下获得很 好 流动性强 硬度适中 易于清洗的磨料 选 高的动能向加工表面输送 发生化学作用 反应产 择氧化剂时 应选择氧化能力强 稳定 不含金 物在压力与旋转和研磨粒子 抛光布的磨擦携带下 属离子 无毒 不污染环境的氧化剂 从表面上剥离下来 脱离反应表面 使新裸露的表 目前对于钨的CMP技术 最常用的磨料就是 面再继续