LED蓝宝石图形化衬底的研究进展及发展趋势 Research Progress of LED-based on Patterned Sapphire Substrate.pdfVIP

LED蓝宝石图形化衬底的研究进展 及发展趋势 张钦亮，金志杰，雍春娥，苏静洪，王 谟，平志韩 (天通吉成机器技术有限公司，浙江海宁314400) 摘 要 ：图形化蓝宝石衬底作为 GaN基 LED照明外延衬底材料 ，由于其能降低 GaN外延薄膜 的线位错密度和提高LED的光萃取效率的显著性能在近几年来引起国内外许多科研机构和厂 商的广泛兴趣 。从衬底的制备工艺、图形尺寸角度 出发 ，综述 了图形化蓝宝石衬底 GaN 基 LED 的研究进展 ，并对其未来在大功率照明市场的应用进行 了展望。 关键词 ：图形化蓝宝石衬底 ；氮化镓 (GaN)；LED；刻蚀 中图分类号 ：TN304．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004．4507(2012)12—0010—07 ResearchProgressofLED-basedonPatterned SapphireSubstrate ZHANGQinliang，PINGZhihan，SUJinghong，WANGMo，JINZhijie (TDGMachineryTechnologyCo．，Ltd，HainingZhejiang314400，China) Abstract：Patternedsubstratesapphirehasattractedmuchinterestinrecentyearsduetoitsoutstanding propertiesinimproveGaN epitaxialcrystalqualityandlightoutputpowersoftheLEDs．Theresearch progressofLED-basedonpatternedsapphiresubstrateisreviewedfrom thefabricationmethodsand pattern—size．Andtheprospectsforfuturedevelopmentofpatternedsapphiresubstratesareproposed． Keywords：Patternedsapphiresubstrate；GaN；LED；Etch LED照明作为一种新型的绿色照明产品，是 明确将 “高效节能、长寿命的半导体照明产品”列 当前能源危机、温室效应和生态环境恶化大背景 为工业节能优先主题 。 下重要的节能环保手段，得到了各 国产业政策的 LED是一种能够将 电能转化为可见光的固态 极大支持。最近几年，年均超过 25％的产业增长 半导体器件，一般是 由III一Ⅳ族化合物，如 GaAs 率也使其成为了发展最快的行业之一，我 国 《国家 (砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)和 中长期科学与技术发展纲要 (2006—2020年)》中， GaN(氮化镓)等所组成的P．N结面结构的装置 。 收稿 日期 ：2012．12—08 ⑩ (总第215期)圜■咖 万方数据 ■ 电 子 工 业 董 用 设 菁 趋势与展望 其中最常用的是作为第三代半导体材料 的GaN， 和轰击能量，适于辉光放电时 自动匹配网络等优 具有带隙宽、热导率高、饱和电子速率高、化学性 点而广泛应用 l【0]。一般 以BC1或 Cl2或二者混合 质稳定和机械性能好等诸多优异性能[IJ。然而 由 作为反应气体，以HBr、Ar等作为物理性离子轰 于大尺寸、高质量 GaN 晶体难 以制备，目前通常 击的辅助气体，采用光刻胶、SiO、Ni等作为掩膜 采用蓝宝石、Si、SiC等作为衬底材料，用于生长 层，通过控制工作压强、反应气体流量、磁场强度 GaN薄膜 。蓝宝石因具有的化学和物理性质稳定、 和直流偏压等参数，控制刻蚀速率和均匀性 。 光学特性好、成本合适等优点3_『5】，被广泛使用。