npn AlGaNGaN HBT模型与特性分析 Characteristics of npn AlGaNGaN HBT.pdfVIP

第27卷第9期 半导体学报 V01．27No．9 2006年9月 CHINESEJoURNALoFSEMICoNDUCToRS Sep．，2006 AlGaN／GaNHBT模型与特性分析* npn 龚 欣1’t 马 琳2 张晓菊1 张金凤1 杨 燕1 郝 跃1 (1西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) (2西安电子科技大学技术物理学院，西安710071) 摘要：基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模，应用漂移一扩散传输模型开展了npn AlGaN／GaN异质结双极晶体管的特性研究，给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式．结果表明：实际 器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性，为器件的工艺制造 提供了理论指导． 关键词：GaN；物理模型；异质结双极晶体管 PACC：7280E；7340L 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)09—1600-04 GaN HBT进行了特性研究，解释了实验与理论的 1 引言 差异，为器件的工艺制造提供了理论指导． 由于具有大的禁带宽度、高的击穿电场、高的载 2器件结构及物理模型 流子饱和速度以及强极化效应等特性，GaN在高 温、高频、高功率领域中被广泛看好，而AlGaN／ 本文研究采用的AlGaN／GaNHBT对应文献 GaN HBT也越来越受到人们的关注．这是因为：一 [7]中器件的实际结构，各层的厚度、掺杂浓度和器 方面，A1GaN／GaN异质结场效应晶体管(HFETs)件的结构示意图如图1所示．图中p型基区浓度 显示出的优良特性推动了A1GaN／GaNHBT的发 展；另一方面，在其他Ⅲ．V族材料体系如GaAs和温下杂质不完全电离，因此实际的载流子浓度只有 InP中，HBTs与HFETs器件相比有一些重要的优 势，例如具有更高的跨导、更好的线性度、更大的电 流密度、低的相位噪声和更好的阈值电压稳定性．但 面到基区金属的间距为1“m． 目前制造出来的AlGaN／GaNHBT室温下的共射 极直流电流增益普遍较低，一般小于10[1~5]．为了 提高器件的性能，人们研究出各种各样的办法，比如 用A1GaN／GaN超晶格基区、组分渐变的基区、集 电极在上(collecto卜up)的结构，工艺上采用自对准 方法，采用横向外延过生长的GaN(LEoGaN)衬 底材料等．2003年，xing等人报道了采用生长厚集 电区的方法以减少线位错和降低背景载流子浓度， 及选择性重生长渐变发射区的方法制造出的共射极 图1 AlGaN／GaNHBT结构示意图 电流增益为18，工作电压高达330V的AlGaN／ Schematicof HBTstructure Fig．1 AlGaN／GaN GaNHBT[6]． 目前对GaN基电子器件特别是GaNHBT的 本文采用漂移．扩散传输模型，通过自洽求解二 研究还处于初级阶段，器件工作的很多机理还没有 维结构的泊松方程、载流子连续性方程和电流密度 定论．本文对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进 方程得到器件特性，求解的半导体器件基本方程包 括： A1GaN／ 行了建模，应用漂移．扩散传输模型对npn *国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号：51327020