Krishna Saraswa Stanford University（克里希纳Saraswa斯坦福大学）.pdf

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2017-08-06 发布于浙江
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Krishna Saraswa Stanford University（克里希纳Saraswa斯坦福大学）

1 Krishna Saraswat araswat tanford University 2 Outline •  Cleanliness –  Why? –  How? •  Cleaning –  Cleans –  General cleanliness •  Lab Policy –  Personal –  Equipment and Wafers araswat tanford University 1 3 Why should you care? araswat tanford University 4 Device Issues • Performance Degradation –  gate oxide quality 1.E-04 –  carrier lifetime 1.E-05 –  threshold shifts 1.E-06 d 1.E-07 –  Low I , high I I ON OFF d I 1.E-08 Gate Poly 1.E-09 High trap density Gate Oxide 1.E-10 Low trap density 1.E-11 -1 1