MMBFU310LT1G JFET Transistor ON （MMBFU310LT1G JFET晶体管）.PDFVIP

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2017-08-06 发布于浙江
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MMBFU310LT1G JFET Transistor ON （MMBFU310LT1G JFET晶体管）

MMBFU310LT1G JFET Transistor N−Channel Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 SOURCE 3 MAXIMUM RATINGS GATE Rating Symbol Value Unit Drain−Source Voltage VDS 25 Vdc 1 DRAIN Gate−Source Voltage VGS 25 Vdc Gate Current IG 10 mAdc Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the 3 SOT−23 (TO−236AB) device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be CASE 318−08 assumed, damage may occur and reliability may be affected. 1 STYLE 10 2 THERMAL CHARACTERISTICS Total Device Dissipation FR−5 Board PD 225 mW (Note 1) MARKING DIAGRAM T = 25°C 1.8 mW/°C A Derate above 25°C Thermal Resistance, RJA 556 °C