坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究.PDFVIP

维普资讯 第37卷 第2期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 No．2 2008年 4月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Aoril．20o8 坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究 史宏声 ，任国浩 ，仲维卓 (1．中国计量学院，杭州310018；2．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海201800) 摘要：本文用坩埚下降法 自发成核的方法生长了钨酸铋钠NaBi(WO。) 晶体 ，得到了尺寸达 18×18x52ITlnl的透 明晶体。研究了该晶体的生长面，发现晶体的生长面以(001)面为主，并运用布拉维(Bravais)法则和负离子配位多 面体生长基元理论对这一现象进行了分析。 关键词：NaBi(W04)晶体；自发成核；生长面 中圈分类号：0713 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2008)02-03014)4 GrowthofNaBi(Wo4)2CrystalandStudyoftheGrowthFace S／H- H0ng．sheng ，PEN Guo．hao ，ZHONG Wei-zhuo (1．ChinaJiliangUniversity，Hangzhou310018，China；2．ShanghaiInstituteofCeramics，ChineseAcademyofSciences。ShaIIgllai201800，China) (Received22August2007，accepted3Oc~ber2OO7) Abstract：TheNaBi(WO4)2(NBW)crystalwasgrown bytheBridgman methodthroughhte spontaneouslycrystallization．Th etransparentNBW crystalwiht 18×18 ×52 mm wasobtained．Th e growthfaceofNBWcrystalwasstudied．Anditwasfoundhtatmostofhtegrowthfacesare(001)．This phenomenonCna bewellexplainedbyhteBravaislaw nadhtehteoreticalmodelofna ioniccoordination polyhedrongrowthunits． Keywords：NaBi(WO4)2crystal；spontaneousnucleation；growthface 1 引 钨酸铋钠NaBi(WO)：(缩写为NBW)晶体的密度大(7．58s／cm)、辐射长度短(1．03cm)、抗辐照能力 强而且物化性能稳定，是一种优 良的Cherenkov辐射体。尤其是其抗辐照能力强这一特点对于高能环境和 高速固定靶实验具有特别重要的意义。 1992年，德国科学家Th．Benisch和俄罗斯科学家E．Devitsin等人l1]，用NBW 晶体作成了小型电磁量能 器探测巴巴散射ee‘ e中‘的e与e粒‘子束流，获得比较好的结果。俄罗斯科学家L．V．Miassoedov等人用 能量高达4GeV的介子轰击NBW晶体 J，得到的光产额为700P．e／GeV。同年，俄罗斯的科学家V．Samsonov 等人用25-700MeV的高能电子束轰击尺寸为24x42 ×160mn／的NBW 晶体时，晶体的光输出为 18．7P．e／ MeV，而且轰击前后晶体透过率的变化很小，从实验结果来看，NBW晶体是优 良的Cherenkov晶体，并且具有高 的抗辐照能力 J。俄罗斯的科学家B．N．Kalinin等人也用NBW 晶6~~ T--个小型电磁量能器 ，并在1995 年的文献中报导了实验结果，通过数据分析，认为NBW晶体具有比较好