第三章 质点与表面的交互作用.pdfVIP

薄膜工程 周麗新 第三章　質點與表面的交互作用 質點與表面的交互作用可歸納為以下六大反應 ： 濺鍍 ， 佈植， (1) (2) (3) 反射 ， 二次電子釋出 ， 化學反應，以及 光子釋出等 。除了化學反 (4) (5) (6) o 應外 ，其他五大反應標示於圖八十三中，濺鍍質點包括中性原子 、正離 M + - * o 子 、負離子 、激發態原子 以及分子 ，反射質點包括中性原子 、 M M M M I n + - * 正離子 、負離子 以及激發態原子 ，本章將介紹前四大反應的現象、原 I I I 理以及可能的反應機構(reaction mechanism) ，介紹順序為：二次電子釋出、 反射、佈植、以及濺鍍，並於濺鍍單元適時簡介化學反應。 第一節 二次電子釋出(secondary electron emission) 若在電漿環境中進行薄膜製程 ，會有大量二次電子釋出的現象，這些二 次電子多半由於帶正電荷的離子接近固體表面，或是處於激發態的中性原子 或分子接近固體表面而造成，前者所造成的二次電子釋出現象稱為歐傑中性 化過程 ，而後者所造成的二次電子釋出現象稱 (Auger neutralization process) 圖八十三 質點與表面交互作用的五大反應 90 薄膜工程 周麗新 為歐傑反激發過程 。 (Auger de-excitation process) 歐傑中性化過程示於圖八十四 ，當真空中一正離子接近金屬表面至一 離子直徑距離時 ，金屬的一個電子將由費米電子海 中穿 (Fermi electron sea) 隧(tunnel)至離子的基底狀態(ground state) 而形成一中性原子，同時金屬中的 第二個電子將由另一能階被激發，若此電子得到足夠的垂直於表面的動量， 則此電子可能從金屬中被釋出 ，這就是歐傑中性化二次電子釋出機構，此機 構中二次電子的釋出是由離子的游離位能所驅動 ，或者定量而言，若離子的 游離位能為E‘ ，第一個電子逃離金屬所需能量為 ，第二個電子逃離金屬所 i