2.3 与理想模型偏离.pptVIP

2.3 直流特性与理想模型的偏离;一、复 习;一、复 习;一、复 习;二、理想pn结模型（四个假设）;二、理想pn结模型;二、理想pn结模型;三、实际PN结直流I-V特性与理想模型的偏离;2、实际与理想I-V特性曲线对比;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因 ;3、引起偏离的原因;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;2.4 PN结的小信号特性与扩散电容;一、 PN结的小信号特性;;二、扩散电容;二、扩散电容;二、扩散电容;3、讨论 （1）以上分析时浓度分布用的是稳态分布情况，所以结论近似用于低频情形 （2）由于扩散电容随正偏电压呈指数增加，所以在大的正偏电压时，扩散电容起主要作用 （3）对于单边突变结P+N， ，主要是重 掺杂区向轻掺杂区扩散，因而 ;;一、势垒电容;2.电容效应分析 （1）势垒电容是在耗尽近似下分析的 （2）势垒区上的电位差为 时对应的势垒区宽度为 ，当电压增加 时，势垒区两侧宽度均减小，分别为 和 。与范围内对应的变化电荷 、 ，它们产生的电位差即为 。;一、势垒电容;一、势垒电容;势垒