卤化锂晶体能态密度的研究.pdfVIP

维普资讯 第14卷第2期 黄 淮 学 刊 Vo1．14 No．2 1998 年 6 月 HUANGHUAIjoURNAL June， 1998 0 佃～2-l 卤化锂晶体能态密度的研究 ‘ ． ， (商丘师专物理系，河墨南商丘，476000) VfJf 詈中圈分类号O481．1 堕 白化Iu锂晶日傩r 0 引 言 离 ＆律 离子晶体的研究，一直是物理学着重研究的课题．一方面是它们作为新型绝缘材料在技术 上的广泛应用}另一方面是它们在解释各种物理现象中扮演着重要角色、晶体的能态密度，反 应着晶体的重要性质．在离子晶体电子结构性质的研究中，采用扩展休克尔方法，应用自包容 子程序和Hamilton非对角元的改进形式，不但计算简便，大大节省计算时间，而且也取得了令 人满意的结果[1．．本文利用该方法计算了卤化锂(LiF、LiCI、LiBr)晶体的能态密度，确定了价 级位置，得出了能隙和价带宽度，与实验数据及其它理论计算结果比较表明，我们的计算结果 与实验数据符合较好，并进行了理论分析、 1 计算方法和参数选取 原子基函数仍取成斯莱特 (STO)形式，Hamilton对角元取成相应原子的价态电离电势 (VSIP)的负值．卤化锂晶体有关原子的价态STO指数和VSIP见表 1，Hamilton非对角元的 改进形式 为 H一一 坐二l 生= [(1+△)H一+(1一A)H ] (1) H 一 H △ 一 这里取 一1．75． 卤化锂体皆为面心立方，LiF、LiCI、LiBr的晶格常数分别为4、02×10 。m、5．13×10 。 m 5．49×10 。m，空间群0i，第一布里渊区为截角八面体．依据DJ．Chadi[等人的特殊点方 案选取的1O个特殊 点及相应的权重因子见表2． 能态密度的数值表达式为[] D(E)一∑— C．Ps~e[-c譬，。 (2) · 国寒 自然科学基金资助项 目 收稿日期；1998一o3一o9 维普资讯 第2期 崔玉亭，等；卤化锂晶体艟态密度的研究 表 1 卤化锂晶体的STO指数和VSIP 表2 特殊K点及权重因子 其中，G 是第i个晶体轨道上第P原子轨道的轨道系数，是第f个轨道的轨道能量，分别对应 着本征方程的本征矢和本征值．为平滑因子，这里取 =0．2eV；E是指定的某能态的能量． 总态密度 (TDOS)对所有的原子轨道求和，局域态密度(LDOS)对原子轨道的求和被局域在 特定原子上． 2 计算结果及讨论 计算中取4个最近邻单胞，矩阵约化过程中，非对角元小于 1O 取为0．计算的LiF、LiCI、 LiBr晶体的能态密度分别见图1、图2、图3．其中横坐标为能量，单位eV}纵坐标为随机单位， 因为我们主要关心的是能态密度的相对大小 LiF Li (n) (b) 图1、LIF晶体的态密度 (a)总态密度I(b)局域态密度 维普资讯 黄稚学刊 (自然科学版) Li