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高压LDMOS场极板的分析与设计.pdf
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同压 LDMOS场极板的分析与设计
刘磊 ，高珊 ，陈军 宁 ，柯 导 明，刘琦 ，周蚌艳
(安徽大学 电子科学与技术学院，合肥 230039)
摘要：场板是高压 LDMOS中普遍使用的一种结终端技术，对单阶梯 LDMOS场板的长度、其下方氧
化 厚度 以及 场氧侵 蚀厚度 等参数进 行 了模拟 和分 析，在此 基础上 设计 了一种新 型体硅 双阶梯场板
LDMOS，并对其具体参数进行了细致 的模拟和分析。模拟结果表明，双阶梯场板 LDMOS的击穿电压比
单阶梯场板LDMOS提高了l5．3％，导通 电阻降低了 l7．1％，电流驱动能力也提高 了8．5％。
关键词 ：横 向扩散金属氧化物半 导体；单阶梯场板；双阶梯场板：击穿电压
中图分类号：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号：l003—353X (2006)l0—0782—05
AnalysisandDesign ofFieldPlatesofHighVoltageLDM OS
LIULei，GAOShan，CHENJunn·ing，KEDao·ming，LIUQi，ZHOUBang．yan
(CollegeofElectronicsandTechnology，AnhuiUniversity，14efei230039，China1
Abstract：Fieldplateissuchajunctionterminaltechniquethatisemployedprevalentlyinhigh
voltageLDMOSdesigns．Theparametersofsinglefieldplatesuchasitslength oxidethickness，and
，
corrodedfieldoxidethicknessweresimulatedandanalyzed
． A new bulksilicondoublefieldplate
LDMOSwaspresentedaccompaniedbyitsrelatedsimulationsandanalyses．Resultsfrom simula．
tionsshow thattheproposedstructurecanimprovethebreakdownby15
． 3％ andreducethespecific
onr‘esistanceby 17．1％．Meanwhilethecurrentdrivingcapabilityisenhancedby8． 5％．
Keywords：lateraldouble·diffusedMOS(LDMOS)；singlefieldplate；doublefieldplate；break．
downvoltage
RESURFLDMOSt]，超结LDMOS[3]等，而针对于
1 引言
高压LDMOS场板本身的研究并不多见。在相关研
场板是高压LDMOS设计中经常使用到的一种
究中，K．P．Brieger等人4【J研究了深耗尽状态下MOS
终端技术，它可以有效地抑制表面电场，防止器件
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