固体化学习题.DOC

习题 第一章 1. 试证六方密积结构中c/a=1.633。 若基矢a、b、c相互垂直，试求立方晶体晶面族（hkl）的面间距。 若在体心立方晶胞的每一个面中心处加一个同类原子，试说明这种晶体的初基晶胞如何选择？每初基晶胞含有几个原子？ 试求面心立方结构的(111)和(110)面的原子密度。 金刚石的四面体键之间的角同立方体体对角线之间的角一样，用初等矢量分析求出角的值。 第二章 1．Mg的第二电离能（15.035eV）大约是第一电离能（7.646eV）的二倍，O转变为 O－是一个放热反应，而由O－转变为O2－是一个吸热反应。可是为什么总是把氧化镁（MgO）看作是Mg2＋O2－，而不看作是Mg＋O－？试讨论之。 2．下列几种化合物具有NaCl型结构，它们中的正、负离子之间的距离（）分别为下列数值，试由这些数据计算出S2－和Se2－的离子半径。 MgO 2.10 MgS 2.60 MgSe 2.73 MnO 2.24 MnS 2.59 MnSe 2.73 3．试根据氯化铵的生成热及其他有关数据，估算NH3（气）和H＋（气）的结合能。 4．在固态氯化铍中，所有的Be原子和所有的Cl原子都是等同的，每个Be原子以四面体的方式与四个Cl原子配位结合，试写出氯化铍的结构。 5．BF3和NF3分之各形成什么类型的固体？固体间分之间靠什么键结合在一起？哪一种固体的熔点比较高？ 6．硫化镉常用于制作照像用的曝光表，计算硫化镉开始产生光导现象时的光的波长，为什么这个波长特别适合于黑白胶片的照像？ 7．有一半导体材料，其电导电子浓度为1016/cm3,电子迁移率为2000（cm?s－1）/（V?cm－1）。求该材料的电导率（电子的电荷为1.6×10－19A?s） 8．有一n型半导体，它的电阻率为20Ω?cm。另以实验测得它的电子迁移率为100cm2/V?s。求单位体积（cm3）中的载流子电子数。 第三章 1．氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV，而从玻尔－哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别，是何原因？ 2．如果对磁性硫化铁矿分析，结果表明Fe/S之比小于1，那么可以把它的化学式写成Fe1－yS或者写成FeS1＋x。但是实际上两式的含义迥然不同的，前者表示晶体中有铁空位存在，而后者则意味着有过量的硫离子。试设计一个实验方法，以确定磁性硫化铁到底是具有哪种结构。 3．写出下列杂质掺入硅晶体中后，杂质缺陷存在的形式，有效电荷符号，电离的方式，离子符号，以及在禁带中的位置；（1）Sb，（2）Se，（3）Al，（4）Sn。 4．指出下列材料是n型，还是p型半导体：（Ga,In第三主族，As第五主族） （1）GaAs中掺Zn；（2）InAs中含有稍微过量的一点In；（3）受X射线照射过的KCl；（4）Li0.05Cu0.95O（5）WO2.999 5. 当把Fe加到LixNi1-xO半导体材料时，生成LixFeyNi1－x－yO，试预测对于该材料电导率所产生的影响。 第四章 1．在高温和氧分压较低的情况下，ZrO2和Nb2O5这类氧化物也可能发生热分解反应，分解出少量的氧，生成阴离子短缺的非整比化合物ZrO2-y和Nb2O5-y。从微观上看氧原子离开表面上的格位，在原格位处留下一个空位Vo和两个电子（可表示为V＋2e，或V），表面上的V和体相内的O可以相互扩散。晶体成为一种n型材料。晶体中存在有下列缺陷平衡： O V＋O2 V V＋e’ V V＋e’ 试讨论晶体中电子浓度随氧分压变化的关系。 2．如果在上述MX2晶体中掺入少量一价离子N＋的化合物NX，则发生下列反应，生成取代杂质缺陷NM和间隙M离子M： 2NX 　　　2N＋M＋2XX 试讨论晶体中本征缺陷浓度随杂质浓度变化的关系。 第五章 1．试从点阵能的观点考虑下列固相反应的平衡趋向： LiBr（固）＋KF（固） 　　LiF（固）＋KBr（固） 四种化合物的晶体结构都是NaCl型，但假设它们之间不形成固溶体，因而可以忽略熵效应。 2．利用1题的结果，讨论下列固相反应的方向： （1） 2NaF（固）＋CaCl2（固） 　CaF2（固）＋2NaCl（固） （2） Na2S＋CaCO3（固）　 　Na2CO3（固）＋CaS （3） MgCl2（固）＋H2O 　　MgO（固）＋2HCl （4） CaCl2（固）＋H2O 　　CaO（固）＋2HCl 3．在0.1大气压的氧气中使镍氧化，测得在各种温度下镍的增重速度如下表所示，试推导出与