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中国月期刊咨询网 工业设计职称论文发表论文范文下载 发光二级管于1960年被研制出并投入商业生产，是一种利用固体直接发光的绿色光源，具有体积小、重量轻、寿命长 、可靠性高、高响应速度、抗震性好、光效高、节能、防爆等优越性。是二十世纪微电子技术、光电子技术和新材料 技术的产物，引领了二十一世纪光源和照明革命。 【摘要】随着照明设计理论的不断发展发光二极管（LED）外量子效率的提升成为了提升其照明水平的基础与关键。 本文从几个方面出发，对LED芯片制作过程中的几种外量子效率提升技术进行了分析探讨。 【关键词】职称论文发表,LED,外量子,效率提升 随着LED整体水平的不断发展，在人们的日常生活中发光二极管得到了更加广泛的应用。随着红黄绿蓝LED在图像显 示、信号指示、普通照明、基础研究等方面的应用，及紫光、紫外LED在验钞、光固化、现代农业等方面的应用，人 们对LED亮度和光效不断提升的要求越来越迫切，因此LED外量子效率的提升也得到了越来越多专业人士和企业的重 视与关注。以下通过对DBR结构、倒装芯片技术、垂直结构芯片技术进行分析，仅对LED芯片外量子效率提升进行了 研究。 1DBR结构 折射率完全不同的材料进行周期交替从而生长成的层状结构。DBR结构一般处于正装结构的LED的源层和衬底之间并 且能够有效将射向衬底的光在表面或者侧面进行反射，从而在很大程度上减少了衬底对光的吸收并同时合理提高出光 效率。除此之外，DBR结构在LED中的应用可以促进金属有机化学气相沉积发法的直接利用，即这种方法的有效利用 可以减少LED的加工处理次数。由于DBR结构通常由交替的多层高折射率和低折射率材料相互组成并且每层的光学厚 度均为发射波长的1/4。因此当DBR结构为2p+1层时其反射率和结构为2p层的反射率是完全不同的。除此之外，复合 型DBR结构在LED中的应用可以促进其出光效率较常规DBR可以提高约35%左右并且配合其他优化结构可以使复合DB R结构对LED光提取效率的改善效果会更为明显，从而具有很好的成本优势，因此现今已经广泛应用于商业生产中。 2倒装芯片技术 倒装芯片技术是提升LED外量子效率的重要技术。通常来说在LED的运行过程中由于P型GaN的电导率往往较低，因 此为了更好地满足电流扩展的要求，通常会需要在P区表面形成一层金属电极层。并且为了获得好的电流扩展P区表 面形成的金属电极层不能太薄，但如果太厚则会对LED的发光效率造成较大影响，因此在这一过程中关键环节就是兼 顾电流扩展与出光效率两个因素。因此倒装芯片技术的采用可以有效的对这一环节进行处理并对存在的问题进行合理 解决。倒装技术之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式而言的。传统的通过金属线键合与基板连 接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来，故称其为倒装结构。倒装结构从蓝宝石衬 底出光，蓝宝石/（硅胶+荧光粉）出空气的全反射临界角为51.1～70.8°，全反射角为23.6°，GaN/（硅胶+荧光粉） 的全反射临界角为36.7～45.1°，全反射角为36°，因此进入空气发生全反射的概率大幅度降低，有利于提升出光效 率；还避开P电极吸收光和电极垫遮光，及电极焊点和引线对出光效率的影响，并且改善了电流扩散性从而能够更进 一步的提升出光效率；倒装结构的P极金属反射层的导电率明显高于正装结构的ITO透明电极，驱动电压有了较大幅 度的降低，倒装结构的导热系数约120W/mK，传统正装芯片蓝宝石导热系数约20W/mK。倒装结构的导热系数明显优 于正装结构芯片，因此可以有效增大输出功率降低热阻同时合理提高LED的可靠性。通常来说倒装芯片技术的应用可 以使LED的外量子效率提升21%左右，并且功率转换效率提升大约20%。 3垂直结构芯片技术 目前LED大多在蓝宝石衬底上外延获得，蓝宝石尽管有较高的透光率，但热传导性能很差，受蓝宝石衬底电绝缘特性 的影响，传统平面结构GaN基LED通常采用台面结构实现电流的侧向注入。这就造成LED芯片内部电流分布一致性较 差，局部区域电流过大，影响器件电学、光学特性及长期可靠性。而垂直结构可以有效解决正装结构LED存在的问题 ，它通过晶片键合以及蓝宝石衬底激光剥离，将GaN外层转移至Cu、Si等具有良好导电、导热特性的衬底材料上，在 很大程度上提高了散热效率。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，通过图形化的n电极，使得 电流几乎全部垂直流过LED外延层，横向流动的电流极少，可以避免正装结构的电流拥挤问题，提高发光效率，同时