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明月微电子BM4953B说明书-深圳明月微电子限公司
P沟道增强型双MOS管-4953B
概述与特点
内置P沟道增强型双MOS管-4953B
描述 概述：4953 内部包括两个独立的、P
显示器驱动,也可用来做负载开关或者 PWM开关。
BM4953B内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻,适合用 LED
主要特点
显示屏,LED 显示器驱动,也可用来做负载开关或者 PWM开关。
P沟道增强型双MOS管-4953B
概述与特点 专业设计，RDS(ON)极小；
耐用性和可靠性极强； 封装图
主要特点
封装形式：SOP8。
概述：4953 内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻，适合用 LED显示屏,LED
l 专业的应用设计, 针对LED以及LED显示，RDS(ON)极小;
显示器驱动,也可用来做负载开关或者 PWM开关。
应用领域
l 耐用性和可靠性极强，适应室内／室外LED显示;
主要特点
LED显示屏，LED显示器等；
l 封装形式:SOP8。
专业设计，RDS(ON)极小； 负载开关或者 PWM开关
耐用性和可靠性极强；
电器参数 封装图 管脚定义
封装形式：SOP8。
应用领域
应用领域
25℃极限参数和热特性
l LED显示屏,LED显示器等;
LED显示屏，LED显示器等；
l 负载开关或者PWM开关 ；
参数 符号 范围
负载开关或者 PWM开关
漏源电压 VDS -20
电器参数 栅源电压 VGS ±15
产品规格分类
连续漏极电压 ID -3
脉冲漏极电压 IDM -25
产品名称 封装形式 打印标示 材料 包装形式
25℃极限参数和热特性
2.5 （TA=25℃）
最大耗散功率 PD
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