晶闸管的派生器件.PPT

* （三）晶闸管的简易识别 * （一）晶闸管及其工作原理 （二） 晶闸管的特性与主要参数 （三）晶闸管的简易识别 （四）晶闸管的派生器件 * （三）晶闸管的派生器件 可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管(Fast Switching Thyristor，简称FST)，开关频率在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 快速晶闸管为了提高开关速度，其硅片厚度做得比普通晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压较低，一般在2000V以下。 快速晶闸管du/dt的耐量较差，使用时必须注意产品铭牌上规定的额定开关频率下的du/dt，当开关频率升高时，du/dt 耐量会下降。 1. 快速晶闸管(Fast Switching Thyristor—FST * 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 图1.3.6 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 2. 双向晶闸管(TRIAC) （三）晶闸管的派生器件 * （三）晶闸管的派生器件 1)将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 2)与普通晶闸管相比，逆导晶闸管具有正压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点； 3)根据逆导晶闸管的伏安特性可知，它的反向击穿电压很低；因此只能适用于反向不需承受电压的场合； 4)逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流管区之间的隔离区； 5)逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示； 图1.3.7 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 3. 逆导晶闸管 (RCT) * 1)又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 2) 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 3）大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 4）光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。 （三） 晶闸管的派生器件 图1.3.8 控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 4. 光控晶闸管(LTT) * 5.可关断晶闸管 可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)简称GTO。 它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。 P27 * (1)可关断晶闸管及其工作原理 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 图1.4.1 GTO的内部结构和电气图形符号 (a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 ( b) 并联单元结构断面示意图 (c) 电气图形符号 1)可关断晶闸管的结构 * (1) 可关断晶闸管及其工作原理 2)可关断晶闸管的工作原理 1）GTO的导通机理与SCR是相同的。GTO一旦导通之后，门极信号是可以撤除的, 但在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不象普通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断。 2）在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流(即抽取饱和导通时储存的大量载流子)，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 * (2)可关断晶闸管的特性与主要参数 导通过程与SCR一样，只是导通时饱和程度较浅。需经过延迟时间td和上升时间tr。 图1.4.2 可关断晶闸管的开关特性 开通过程： 1)可关断晶闸管的特性 * 关断过程：与普通晶闸管不同 储存时间ts ：抽取饱和导通时储存的大量载流子，使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf ：等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小。 尾部时间tt ：残存载流子复合。通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短。 门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间。 图1.4.2 可关断晶闸管