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GaAs太阳能电池 李永富 太阳光辐射主要是以可见光为中心，分布于0.3微米至几微米光谱范围，对应光子能量0.4eV~4eV之间，总体来说，理想太阳能电池材料需要具备： 能带在1.1eV~1.7eV之间(对应光波长范围0.73~1.13μm) 直接能带半导体 组成材料无毒性 可利用薄膜沉积技术且可大面积制备 有良好的光电转换效率 具有长期稳定性 GaAs是典型的III-V 族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV（300K），可以良好的吸收太阳光，因此，是很理想的太阳能电池材料。GaAs材料的主要特点： 光吸收系数高。GaAs太阳能电池的有源区厚度多选取5um 左右，就可以吸收95%的太阳光谱中最强的部分。 带隙宽度与太阳光谱匹配。GaAs的带隙宽度正好位于最佳太阳电池材料所需要的能隙范围，具有更高的理论转换效率。 耐高温性能好。GaAs 太阳能电池效率随温度升高降低比较缓慢，可以工作在更高的温度范围。 抗辐照性能强。GaAs 是直接带隙材料，少数载流子寿命较短，在离结几个扩散度外产生损伤，对光电流和暗电流均无影响，因此，GaAs 太阳能电池具有较好的抗辐照性能。 多结叠层太阳电池的材料。由于III-V 族三、四元化合物（GaInP、AlGaInP、GaInAs等）半导体材料生长技术日益成熟，使电池的设计更为灵活，从而大幅度提高太阳电池的效率并降低成本。 GaAs基太阳能电池基本上可分为单结和多结叠层式太阳能电池两类，如图1所示。 对于单结GaAs太阳能电池，根据其生长方式的不同又可以分为LPE GaAs及MOVPE GaAs太阳能电池，衬底可选用GaAs或Ge，不过GaAs是直接带隙材料，光吸收系数大，有源层厚度只需3微米左右，所以原则上在生长好GaAs电池后，可以选择把衬底完全腐蚀掉，只剩下5 微米左右的有源层，从而制成超薄GaAs电池，这样就可以获得很高的单位质量比功率输出。目前超薄(UT)GaAs电池的比功率可达670W/kg，而100微米高效Si电池的比功率仅为330W/kg。 但是，无论如何，单结也只能吸收和转换特定波长范围内的太阳光，其理论效率也只有27%，为提高能量转换效率，可以将太阳光光谱分成连续的若干部分，用能带宽度与这些部分有最好匹配的材料做成电池，并按带隙的不同从大到小的顺序从上到下叠合起来，选择性吸收和转换太阳光光谱的不同子区域，这就有可能最大限度地将光能变成电能，这样的电池结构就是叠层电池。 叠层太阳能电池的制备可以通过两种方式得到，图2所示。一种是机械堆叠法，先制备出两个独立的太阳能电池，一个是高带宽的，一个则是低带宽的，然后把高带宽的堆叠在低带宽的电池上面，这种方式需要分别制备多个子电池，然后再进行堆叠，体积受到限制，但是无需进行电流匹配，也不再需要考虑晶格匹配；另一种是单片式多结电池，先制备出一个完整的太阳能电池，再在第一层电池上生长或直接沉积在第一层电池上面，这种电池结构紧凑，便于集成，但是对衬底材料质量要求高，且必须要考虑各外延层的晶格失配问题。 多结GaAs太阳能电池技术已经成为国内外研究的主流，2009年，比利时IMEC展示了其最新的机械叠层GaAs/Ge多结太阳能电池，据称其机械叠层的GaAs/Ge多结太阳能电池转换率直指40%以上，电池制备过程中，首先制造锗电池以及单独的引出端，然后将GaAs子电池集成在该锗电池之上，各自分离的引出端可以用来单独提取某个子电池的电流，降低了对电流匹配的需求，由于不同材料并非依次生长在底层材料之上，因此也无需进行晶格匹配。目前对于这种机械叠层多结太阳能电池的研究还较少，主要还是采用单片叠层式，如德国Azurspace公司已经具有了单片式GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的批量生产能力，产品级别(27%，28%，30%)，产品采用Ge衬底。美国Spectralab及Emcore等公司的三结GaInP/GaAs/Ge也具有了批量生产能力。其部分产品参数如表1所示。 表1. 美国Spectralab、Emcore公司及德国Azurspace公司三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池相关参数 GaInP2为三元化合物Ga0.51In0.49P的简称 厂商名称 产品规格 寿命初期转换效率 寿命末期转换效率 衬底 外延 技术 晶片 厚度 尺寸 重量 Spectralab GaInP2/GaAs/Ge Improved Triple Junction 26.8% 22.5% Ge MOVPE 140 μm 31cm2 84mg/cm2 GaInP2/GaAs/Ge Ultra Triple Junction 28.3% 24.3% Ge MOVPE 140 μm 32cm2 84mg/cm2 GaInP2/GaAs/Ge N