aN基大功率白光LED的高温老化特性.pdfVIP

32 10 Vol. 32 No. 10 第 卷 第 期 发 光 学 报 2011 10 Oct． ，2011 年 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 文章编号:1000-7032 (2011)10-1046-05 GaN 基大功率白光LED 的高温老化特性 * ， ， ， ， 周 舟 冯士维 张光沉 郭春生 李静婉 ( ， 100 124 ) 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京 摘要: GaN LED 85 ℃ 。 6 500 h ， 对大功率 基白光 在 下进行了高温加速老化实验 经 的老化 样品光通量退化 28% ～ 33% 。 I-V ， 幅度为 样品的 特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大 原因可归结为芯片欧姆接 。 ， 触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高 样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大 这是由散热 。 ， 通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的 分析表明 高温老化过程中芯片和封装材料的退 化共同导致了LED 的缓变失效。 : LED ; ; ; 关 键 词 大功率白光 老化 热阻 失效分析 中图分类号:TN383． 1 PACS :78． 60 ． Fi PACC :7865K 文献标识码:A DOI :10 ． 3788 / fgx． 1046 提下短时间内各性能参数发生明显退化。本文对 1 引 言 额定功率为1 W 的GaN 基白光LED 进行了温度 ， 半导体照明是近年来全球最具发展前景的高 应力加速老化实验 在老化过程中测量了样品的 ， GaN 、I-V 、 ， ， 新技术之一 随着以 为代表的第三代半导体 光通量 特性 热阻等参数 进行了对比分析 ， ， GaN LED 。 材料的兴起 产品光效的迅速提升 蓝光和白光发 并探究了 基大功率白光 的失效机理 (LED) ， 光二极管 的大规模量产 其在照明领域的 ［1］ 2 实 验 广泛应用已逐渐实现 。20 10 年，Cree 公司的白 光LED 的实验室光效已提高到208 lm / W ，而光 将1 mm × 1 mm 的GaN 基大功率蓝光芯片