部分尽绝缘层附着静态随机存储器总剂量辐射损效应的研究 - 物理学报.pdf

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2017-08-11 发布于天津
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部分尽绝缘层附着静态随机存储器总剂量辐射损效应的研究 - 物理学报.pdf

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部分尽绝缘层附着静态随机存储器总剂量辐射损效应的研究 - 物理学报

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 10 (2012) 106103 1)2)3) 1)2)† 1)2) 1)2)3) 1)2)3) 1)2)3) 1) ( , 830011 ) 2) ( , 830011 ) 3) ( , 100049 ) ( 2011 7 4 ; 2011 10 12 ) (SRAM) , (SOI) SRAM 60Co-γ , SOI . : ; - , ; , ; . : , , , PACS: 61.82.FK, 61.80.Ed, 85.30.Tv, 07.85.–m 1 , , 80 90 SOI , (partial-depletion- , silicon-on-insulator, PDSOI), , . 90 , , SOI , [1]. [2−4] . , SOI , / , (SRAM) SOI (CMOS) , SRAM , [5], SOI SRAM (SOI) SRAM , [6−8] . SOI [9−12], , . , SOI SOI SRAM , , . SRAM 20 70 , SOI . E-mail: yuxf@ c 2012 Chinese Physical Society 106103-1 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 10 (2012) 106103 , SRAM , E 1B = VL( ), E2B = VL , GB = X ( , ), W B = X , ,