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ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性
第 27 卷 第 7 期 半 导 体 学 报 Vol . 27 No . 7
2006 年 7 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2006
ZnO 纳米线的气相沉积制备及场发射特性
1 1 2 1 1 1 2 1 ,
张琦锋 戎 懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷
( 1 北京大学信息科学技术学院 , 北京 10087 1)
(2 合肥工业大学机械与汽车工程学院 , 合肥 230009)
摘要 : 运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的 ZnO 纳米线 ,并通过场发射显微镜研究
了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性. 结果显示 ,非取向生长的 ZnO 纳米线薄膜场发射的开启电压
3
μ
和阈值电压所对应的场强分别为 47 和 76V/ m ,场增强因子达 10 量级 , 具有较阵列生长的 Zn O 纳米线更为优
异的场发射能力. 非取向生长 Zn O 纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下
屏蔽效应的产生 ,有效地提高了薄膜场发射的电流密度. 将 Zn O 纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场
发射性能 ,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.
关键词 : Zn O ; 纳米线; 气相沉积; 场发射
PACC : 7360L ; 8115 H ; 7970
中图分类号 : O462 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006)
在钨针尖上的 ZnO 纳米线所具有的优异的场发射
1 前言 性能 ,为 ZnO 纳米线材料在平面显示器件及电子显
微探针等领域的实际应用提供了新的思路.
( )
一维纳米材料 如碳纳米管和半导体纳米线等
的单元结构尖端具有几到几十纳米的极小的曲率半 2 样品制备与表征
径 ,在一定阳极电压的作用下可以在尖端获得足够
强的电场强度而产生场致电子发射. 已有大量文献
报道了碳纳米管和各种纳米线的场发射特性[ 1～7 ] , 2 . 1 ZnO 纳米线的气相沉积制备
其中 Z n O 半导体纳米线具有热稳定性好 、结构易控
用于生长 ZnO 纳米线的气相沉积系统由气源 、
和成本低廉等优点, 近年来以该种材料构造场发射
( )
体的研究颇受人们关注. L ee 等人[ 6 ] 较为系统地研 温度可控的管式高温电炉 控温精度 : ±5 ℃ 和真空
(
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