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ldquo;新颖的IGBT等效电路模型及参数提取和验证rdquo;
第 26 卷第 1 期 电 子 器 件 Vol. 26 ,No. 1
2003 年 3 月 Chinese Journal of Electron Devices March. ,2003
A Novel IGBT Subcircuit Model with Parameters Extraction
and Comparison with Measurements
YUAN Shoucai ZHU Changchun LIU Junhua
( School of Electronics and Information Engineering , Xi ’an Jiaotong University Xi ’an 710049 P . R . China)
Abstract : A subcircuitbased model for the Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT) is proposed and optimized. The
( )
IGBT wide base conductivity modulated resistor is effectively equivalent by using a Voltage Controlled Resistor VCR .
Based on analytical equation describing the semiconductor physics , the model parameters are extracted accurately via
measured data without devices destruction. Employing the MOSIEVEL8 spice model , the proposed IGBT subcircuit
model gives more simulation accuracy and easy convergence. The simulation results are verified by comparison with mea
surement results.
Key words : IGBT; VDMOS ; Spice ; model ; simulation
EEACC : 2560L ; 1210
①
新颖的 IGBT 等效电路模型及参数提取和验证
袁寿财 朱长纯 刘君华
(西安交通大学电子与信息学院 , 西安 710049)
( ) ( )
摘要 : 以Spice 电路模拟的 IGBT 绝缘栅双极晶体管 等效电路优化模型 ,用压控电阻 VCR 等效 IGBT 的宽基区电导
调制效应取得了很好的效果 。基于器件的参数实测值 ,通过物理方程式 ,精确推导出器件的主要原始设计参数 。
用 Spice 的LEVEL8 模型 , 以确保模型的精确性和收敛性
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