带复合掺杂层的inp基hbt新结构 novel structure of inp based hbt with composite doping layer.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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带复合掺杂层的inp基hbt新结构 novel structure of inp based hbt with composite doping layer.pdf

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带复合掺杂层的inp基hbt新结构 novel structure of inp based hbt with composite doping layer

器件制缝与应国 ofDevice M蛐证∞嘣ngmdApplicmiee 带复合掺杂层的InP基HBT新结构江琳琳，李轶群，崔海林，黄辉，黄永清，任晓敏 (北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室，北京100876) 一种新的集电区外延结构，该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的P．InGaAs和两层特定厚度但不同掺杂浓度的n．hlP层，从仿真结果出发对各种不同结构做出分析，发现这种新结构克服了双异质结双极晶体管的电流阻挡效应，同时很好地解决了传统的双HBT(DHBT) 的电子堆积效应和SHBT反向击穿电压低的问题。关键词：异质结双极晶体管；复合集电区；势垒尖峰中图分类号：TN305．3；TN385文献标识码：A Novel ofInP with StructureBasedI-IBT CompositeDopingLayer Linlin，LiYiqun，Cui Xiaomin Jiang Hailin，HuangHui，HuangYongqing，Ren Com谳n Education， (KeyLab．ofOpti∞l of and啪伽‰fDg妇，Ministry Postsand Beijing of Te／ecommun／cat幻ns，Be／ring100876，Ch／na) University basedHBTusedfor a Abstract：InP circuits)wasanalyzed，and OEIC(optoeleetrorticintegrated novelcollectorstructurewas Wagachieved andtwon—InP layer proposed，whichbyintroducingp-hGaAslayer with thicknessand levelbetweenthecollectorandthesubcoUector．Thenovelstructure hyersspecific doping overcomestheelectron effectinDHBTandsolvesthetraditional ofreversedbreakdown blocking problem for inSHBT．The collectorstructureissuitable voltage composite integrated p-i-nphotodetector． collector；barrier Keywords：heterojunctionbipolartransistor(HBT)；compositespike 。 EEACC：2560J