单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析 numerical fitting analysis of current conduction in organic light-emitting diodes based on single aiq3 layer with various film thickness.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析 numerical fitting analysis of current conduction in organic light-emitting diodes based on single aiq3 layer with various film thickness

第8期电子学报 v01．36No．8 SINICA 20吣年8月 ACrAⅡEcl限ONI(A AIlg．2008 单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析于军胜，锁钒，黎成志，娄双玲，蒋亚东 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘要：采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq3)为功能层的单层同质结有机电致发光器件，器件结构为indium-tir-oxide(1TO)／tris-(8．hy出耐l 阱电荷限制电流(眦)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制，验证了实验结果和理论推导的一致性．结果表明，Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大，器件电流经层器件，Alq3层中的陷阱机构增多，导致电流一电压曲线的SCLC区域消失．关键词：有机电致发光；电流传导；陷阱电荷限制电流；薄膜厚度；数值拟合中图分类号：TN383+．1文献标识码： A 文章编号：0372-2112(2008)08．1485．05 of in Numerical CurrentConduction FittingAnalysis OrganicLight—Emitting DiodesBasedon withVariousF¨mThickness SingleAIq3Layer YU Fan，LIWei·zhi，LOU Jun-sheng，SUO Shuang-ling，JIANGYa-dong Filmsand Elearonic (State研labof励咖如Thin IntegratedDet@es，Schoolof仰触妇咖I恤脚钿，犯跏，Univenityof Scimeeand Tedmology 610054，Ouna) ofOlina(UESTC)，Olengdu，S／dman Ab{涮： diodesbasedOil Single-layerhomojmaimalOI嘶Clight-emitting wel℃fabricatedVm II七螂．Thedewice emiuinglayer using deposition nm)／Mg： limited am℃m O吣de惝withdifferentⅡlin cⅢrent(TCLC)tteory，the Ag．AccⅨdi】喀to位删cIlar翟e c0似hlcti∞把gi蛳in filmthicknesseswas thicknessof functional ofdevice* investigatedsystematicallybyva咖the Ofg疵c layer．A丘地唱analysis r眦via