单晶硅中替位碳含量的常低温红外光谱对比研究 the comparative study of lowroom temperature infrared spectroscopy of substitutional carbon concentration in mono-crystalline silicon.pdfVIP

李愿杰1 李智伟2 1东方电气集团中央研究院，成都611731；2．乐电天威硅业科技有限责任公司。四川乐山614000 摘要：对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温／低温(15K)红外光谱测试二通过对比研究发现，在所有实验样品中， 外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测，低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检 测：本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式，避免了设备的重复和资源的浪费。 关键词：单晶硅；替位碳含量；低温红外光谱 中图分类号：0657．33 文献标识码：A 文章编号：1001—9006(2013)04—0012-04 TheCom of Tem Infrared Low／room parativeStudy perature ofSubstitutionalCarbonConcentration Spectroscopy in Silicon Mono—crystalline LI Zhiwei Yuanjie，LI CentralResear(111 DEC．61173 Ac。adem，|~of 1，Chengdu．China) Abstract：Inthis substitutionalcarbonconcentrationofmono—siliconwasmeasuredlow／room infrared paper．different by temperature relativedeviationsof38 werefound one values spectroscopy．Thetiny samples exceptsamplethoughcomparativeinvestigation．the were ofthelow f15K1 whichcould theroom in infrared within±0．06ppma．Thefeasibility temperature replace temperature wasconfirmed．Theconcentrationsof and couldbeenmeasuredonescan．Afastand carbon，boron spectroscopy phosphorus byjust efficientmodeof concentrationis of andwasteofresourcesis impurities analysispmvided．Further，theduplicationequipments avoided． silicon：substitutionalcarbonconcentration；lowinfrared Keywords：mono—crystalline temperaturespectroscopy 替位碳是硅中非常重要的非金属杂质，对材 但却不能对多晶硅中的施主杂质(例如磷P)和受主 料和器件的影响是有害的，会引起常说的“中毒 杂质(例如硼B)含量进行检测，磷P、硼B等杂质 效应”-卜2；。目前太阳能电池工艺要求硅中碳含量