低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移 low energy helium ion implantation induced quantum-well intermixing.pdfVIP

下载本文档

3
0
约2.26万字
约 5页
2017-08-13 发布于上海
举报
版权申诉

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移 low energy helium ion implantation induced quantum-well intermixing.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移 low energy helium ion implantation induced quantum-well intermixing

第卷第期半导体学报 28 1 VOl.28 NO.1 年月 2007 1 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. 2007 低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移% 周静涛朱洪亮程远兵王宝军王圩T (中国科学院半导体研究所北京 100083) 摘要!提出了采用低能氦离子注入多量子阱( )材料和合适的快速退火条件实现了带隙波长的蓝 MOW MOW 移用这种材料制作了腔激光器与未注入器件相比实现了的激射波长蓝移 . FP 37nm . 关键词! + 离子注入3低能量3量子阱混杂3蓝移3 腔激光器 He FP : 3 3 : 3 PACC 6170T 8140T 7855 EEACC 2550A 2550B 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN047 A 0253-4177 2007 01-0047-05 的低能离子注入以减弱注入损伤的影响. He+ 在 InP 基材料中一般被作为电隔离注入 1 引言 [] 8 + 源使用近年来诱导量子阱混杂技术的研 . He 究也开始被关注加拿大. McMaster 大学的Yin 等近年来人们对半导体光电集成和光子集成的人采用了等离子体辅助分子束外延( )生 He MBE 研究持续升温在光集成技术中关键的问题是能.