低温沉积zno薄膜的压敏特性及其热处理影响 effects of heat treatment on the varistor performance of zno thin films deposited at low temperatures.pdfVIP

第27卷第10期 半导体学报 VOI_27No．10 2006年10月 CHINESEJoURNALOFSEMICONDUCTORS oct．，2006 低温沉积Zno薄膜的压敏特性及其热处理影响 夏姣贞 陆 慧+ 王 璞 徐晓峰 杜明贵 (华东理工大学物理系，上海200237) 摘要：采用GDARE法在较低温度下，通过一次和多次沉积制备单层及多层znO薄膜．AFM和XRD分析表明， 薄膜具有以zno(002)晶面取向为主的多晶结构，多层膜的晶粒尺寸增大．经200～300℃退火热处理，薄膜呈现出 良好的低压压敏特性．经200℃退火热处理后，多层zno薄膜的非线性系数达到61．54，压敏电压20．10V．在一定 范围内升高热处理温度，可明显降低压敏电压．分析了不同膜层及热处理温度对znO薄膜压敏特性的影响机理． 关键词：znO薄膜；低温；膜层；热处理；压敏电压；非线性系数 PACC：8140 中图分类号：0484．4 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2006110—1763．04 1 引言 2 实验 zno压敏电阻以其优良的过压保护及高能浪 采用GDARE技术，在低温下制备ZnO单层 涌吸收特性，在电压敏感元件的研制及应用领域中 及多层压敏薄膜．衬底为洁净载玻片，采用Ag电 占据主导地位．随着大规模和超大规模集成电路的 极．纯金属锌粉作蒸发源，通入高纯氧气，维持氧分 发展，对高非线性，-y特性、低压敏电压的小功率 压敏电阻器的需求不断提高[1]．Zno压敏电阻的非800V负高压，使氧气产生等离子体辉光放电，蒸发 线性源于晶界效应，而晶界组成及电流流过的晶界 的锌被氧化，并在加速电场的作用下向基片沉积．衬 数决定了压敏电压的高低[2“]．研究表明，增加 底沉积温度为50～100℃，单层膜沉积时间15min． 为获得理想的膜厚和晶体质量，维持相同的制备条 znO晶粒尺寸，减小元件厚度，可有效提高znO压 敏电阻的非线性，降低压敏电压．目前主要以高温烧 件，更换蒸发源，进行二次、三次沉积，沉积时间均为 结法，通过一定的添加剂控制晶粒生长，并采用片式 8min． 元件制备技术等制备元片式、叠片式低压Zno压敏 采用RigakuDMAx／VBx射线衍射仪(Cu 陶瓷，其厚度的减小在工艺上受到较大限制[1]．采用 薄膜技术制备的znO薄膜压敏电阻，其厚度可在几 构，由川．Ⅲ型原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 十纳米到几微米之间调节[5]，在制备小功率低压压 和表面粗糙度．在直流电压条件下测试单层及多层 敏电阻方面具有很好的潜力和优势[6q]，而且薄膜Zno薄膜的Ly特性． 型压敏电阻的研究对解决压敏电阻微观结构与传导 机理的关系等问题也具有重要意义． 3结果与讨论 本工作是以直流气体放电活化反应蒸发沉积技 actiVereaction 术(gasdischarge evaporation， 3．1薄膜表面形貌 GDARE)，在较低的衬底温度(50～100℃)下制备 出性能良好的zn0压敏电阻薄膜，通过多次沉积可 调节薄膜微观结构与znO晶粒生长，控制薄膜厚 薄膜的AFM图像．在单层Zno薄膜沉积过程中， 度，改善薄膜压敏特性．本文还研究了低温热处理对 高压放电环区域内活化反应生成的znO分子从气 薄膜压敏特性的影响，旨在探索低能耗情况下获得 相沉积至衬底上，加热的衬底为沉积的znO分子团 高质量的ZnO低压压敏薄膜． 簇提供了能量，使它们在表面迁移、扩散，结合到更 稳定的晶格位置上．由于衬底