低温缓冲层对mbe生长znte材料性能的改善 performance improvement of znte material by mbe with low-temperature buffer layers.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低温缓冲层对mbe生长znte材料性能的改善 performance improvement of znte material by mbe with low-temperature buffer layers.pdf

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低温缓冲层对mbe生长znte材料性能的改善 performance improvement of znte material by mbe with low-temperature buffer layers

DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．01．008 低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善张家奇，赵杰，刘超，崔利杰，曾一平 (中国科学院半导体研究所材料科学中心，北京100083) 体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的 arcsec 减小到42l arcsec，表面均方根(RMS)粗糙度从6．05nm下降到3．93nm。而作为对比，插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制 ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。关键词：碲化锌；异质外延：低温缓冲层；高温缓冲层；分子束外延中图分类号：TN304．25文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2012)01—0037—05 Performance ofZnTeMaterialMBEwith Improvement by Buffer Low-TemperatureLayers ZhangJiaqi，ZhaoJie，LiuChao，Cui Lijie，ZengYiping Science 1 (MaterialCenter，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing00083，China) effectsofZnTethinfilms with Abstract：The grownOil_GaAs(001)substrateslow-temperature beam to buffer molecular hasa lotof layers by epitaxy(MBE)wereanalyzed．It improvement andluminous oftheZnTethinfilmsafter low— crystallinequality，surfacemorphology quality using buffer full-widthat temperaturelayers．The half-maximum(FWHM)ofdouble—crystalX-rayrocking decreasesfrom529 buffer 421 curve(DCXRD)forZnTe(004)reflectionaresec(withoutlayers)to low buffer the diminishes arcsec(with temperaturelayers)，and from6．05nmto3．93 ZnTe