等离子增强化学气相沉积法制备si-c-h薄膜 preparation of si-c-h thin films by plasma-enhanced chemical vapor deposition method.pdfVIP

半《导体光电}2012年 2月第33卷第 1期 胡水江等： 等离子增强化学气相沉积法制备Si-C-H薄膜 等离子增强化学气相沉积法制备 Si—C-H薄膜 胡水江 ， 徐 君 ，黄小华 ，李生初 (1．绍兴市质量技术监督检测院．浙江 绍兴 312071；2．南京航天航空大学 材料科学与技术学院，南京 210016) 摘 要 ： 以SiH 和 CH 为气源，在不同的工艺条件下用增强化学气相沉积 (PECVD)方法 制备了一系列Si—C-H薄膜 ，并对薄膜的结构和性能进行了一系列测试分析，研究了薄膜的结构性 能特点以及CH ／SiH 比和射频功率等工艺参数对薄膜结构和性能的影响。发现薄膜中主要形成 的是嵌有 Si晶粒的非晶态 SiC结构 ，H原子主要 以C—H键形式存在。高的射频功率和 CH ／ SiH 比均有利于 si—C的形成，而较低的CH ／siH 比可以提高薄膜的晶态率。薄膜的电阻率随 着CH4／siH4比的增大而增大，随着射频功率的增大而减小。 关键词 ： 射频 ；Si—C—H薄膜 ；非晶态 ；结构 ；导电性能 中图分类号 ：TN304 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2012)01—0079--04 PreparationofSi—C—H Thin FilmsbyPlasma-enhancedChemicalVaporDepositionM ethod HU Shuijiang ，XUJun ，HUANGXiaohua。，LIShengchu (1．ShaoxingTestInstituteofQualityandTechnicalSupervision，Shaoxing312071，CHN； 2．SchoolofMaterialsSciencenadTechno1．，NanjingUniversityofAeronauticsnadAstronautics，Nanjing210016，CHN) Abstract： Si—C_H thin films were prepared by using plasma-enhanced chemicalvapor deposition (PECVD)methodunderdifferentprocessingparameters，withthegasmixtureofCH4 andSiH4．Theinfluenceoftheprocessingparameters，suchasCH4／Sill4andradio—frequency powerdensity，onthestructureandpropertiesofthefilmswereanalyzed．Theresultssuggested thatthe filmswere composedofamorphousSiC，in which Sicrystalline grainsinlayed，and hydrogenatomswereinaC—H configuration．Higherradio—frequencypowerdensityandCH4／ SiH4valuewouldacceleratetheformationofSi—C configuration，butlowerCH4／Sill4value wouldacceleratethecrystallizationofthefilms．Theelectricalresistivityofthefilmsincreases withtheincreaseofCH4／SiH4value，butdecreaseswiththeincreaseoftheradio—frequency powerdensity． Keywords： radio-frequency；Si—C-H film；amorphou~sstate；structure；conductiveproperty 0 引言 等在较高温度下才能生长出晶态 SiC，因此带来一 系列问题 ：如易引起基板 的变形和组织 的变化 ，基板