低压功放ic特性异常现象的模拟分析 simulation analysis of abnormal phenomenon in low-voltage power amplifier ic.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低压功放IC特性异常现象的模拟分析孟莹，贾新章，焦慧芳 (西安电子科技大学微电子学院，陕西西安710071) 摘要：农分褫慕僬蕊潞激豢戚魄瓣翻糍瀛罐霸蘩懿瀵雾蟹弼镶罐麟瓣蘸瓣谶穆+徽鼹黪黪麟爨鬻磷象，结合。_ 原理分析，采用模数待真的方藏≯分析、赣骥舅常现象；j麴定了譬蘩特性异常黪棼因，莠黼澍PcMi霹试图形 jj 锯泓试II鸹蛾毫了灸褫镰论、|i一| ～謦j 。- }萋襄妻薹i 奠雾≯ 美键谲t髓晦蔑羹壤糍锯撩璧参数誊谶熊诋骥獭≮|i戳灏溅斌礤鹭一；{；；i|I≤蔓¨{}；|≯薯|ilj毫|il||j|羹|}|{|《|磐。|il鹫|i in SimulationofAbnormalPhenomenon Analysis Power IC Low-voltageAmplifier MENG Xin-zhang，JIAOHui—fang Ying，JIA 71007 (MicroelectronicsSchool，Xidian 1，China) University，Xi’an simulation ofabnormal occuredinlow—voltage Abstract：Theanalysis phenomenon power oftheIC softwarebasedon thefunction ICis simulationPspice analyzing amplifierpresentedusing the ofsemiconductordevices．Thecausesoftheabnormal in and principle phenomenon operating the ICaredeterminedandtheconclusionisconfirmed the low——voltagepoweramplifier bytesting PCMtest chip． test Diode；modelparameter；simulationanalysis；PCMchip Keywords：Schottky 1 引言 a)采用肖特基二极管由于该芯片工作电压低，使晶体管很容易进入微电子器件的应用很广泛，但在设计、结构、选材、工艺及使用上还存在一些缺陷，可能导致集饱和状态，这将严重地影响电路的特性。为了增加成电路的特性、质量与可靠性均不能满足要求。因