1.晶体生长的.ppt

1、晶体生长 ;;单晶硅（Monocrystalline silicon） ;;多晶硅（polycrystalline silicon）;;非晶硅（amorphous silicon）;非晶硅的制备：由非晶态合金的制备知道，要获得非晶态，需要有高的冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定。硅要求有极高的冷却速率，用液态快速淬火的方法目前还无法得到非晶态。近年来，发展了许多种气相淀积非晶态硅膜的技术，其中包括真空蒸发、辉光放电、溅射及化学气相淀积等方法。一般所用的主要原料是单硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，纯度要求很高。 用 途：可以制成非晶硅场效应晶体管；用于液晶显示器件、集成式a—Si倒相器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器；利用非晶硅膜制做静电复印感光膜，不仅复印速率会大大提高，而且图象清晰，使用寿命长；等等。;硅化合物的物性特点;1. 区别晶体非晶体？;2．区别单晶体和多晶体？;单晶硅和多晶硅的区别;3．单晶硅与多晶硅光伏电池的比较？;晶体生长过程：;;1. 硅半导体材料的制备;硅材料;多晶硅材料;多晶硅产品分类;多晶硅应用领域 ;;; 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。 直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。;; 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。;??概况　由硅石?粗硅?高纯多晶硅（纯度在9个“9”以上(99.9999999％以上)?单晶硅 粗硅的制备 ??粗硅　 又称工业硅，纯度在95％?99％的硅 ??反应要点　高温1600℃ ? 1800℃ ??原因　　　SiO2(s)十2C(s)＝Si(s)十2CO(g) ?RGm°=582.07kJ·m01-1，?RHm°＝689.94kJ·m01-1，?RSm°＝358.1 J·mol-1?K-1。需高温才能变为?RGm°＝?RHm°－?RSm°?0。 ??粗硅中杂质多，可用酸洗法初步提纯，高纯硅还需进一步提纯;多晶硅生产技术;西门子法（三氯氢硅还原法）;多晶硅副产品;关于三氯代硅烷(SiHCl3) ??SiHCl3的制备　多用粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应 Si十3HCl==SiHCl3+H2 实际反应极复杂，除生成SiHCl3外，还可能生成SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiCl4等各种氯化硅烷，其中主要的副反应是 2Si十7HCl＝SiHCl3十SiCl4十3H2;??性质　又称或硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体型。SiHCl3稳定性稍差，易水解 SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2 ??注意要点 (1)合成温度宜低，温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或银粉作为催化剂 (2)反应放热，常通入Ar或N2带走热量以提高转化率 (3)须严格控制无水无氧。因SiHCl3水解产生的SiO2会堵塞管道造引起事故。而氧气则会与SiHCl3或H2反应，引起燃烧或爆炸;??SiHCl3的提纯　　 精馏　利用杂质和SiHCl3沸点不同用精馏的方法分离提纯 ??多晶硅的制备 精馏提纯后的SiHCl3用高纯氢气还原得到多晶硅 SiHCl3十H2==Si十3HCl 上述反应是生成SiHCl3的逆反应。反应得到的多晶硅还不能直接用于生产电子元器件，必须将它制成单晶体并在单晶生长过程中“掺杂”，以获得特定性能的半导体;硅锭的拉制 ;直拉法 ;最大生长速度;熔体中的对流;;生长界面形状（固液界面）;生长过程中各阶段生长条件的差异;改良的直拉法;;;3. 磁控直拉技术;磁控直拉技术与直拉法相比所具有的优点;悬浮区熔法 ;多晶硅浇注法 ;单晶硅棒的主要技术参数;参数测试;单晶硅片的制备 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Pro