5第5章-存储器的.ppt

第5章 半导体存储器;5-1 存储器分类;按存储器性质分类;微机存储系统有三个基本参数：容量、速度、成本 容量：以字节数表示 速度：以存取时间TA、存储周期TM或带宽BM表示 TA——从接收读申请到读出信息到存储器输出端的时间 TM——连续两次启动存储器所需的最小时间间隔 TM TA ;w——数据总线宽度;速度;外存平均访问时间ms级 硬盘 9~10ms 光盘 80~120ms;寄存器;存储器访问的局部性：指处理器访问存储器时，无论取指令还是取数据，所访问的存储单元都趋向于聚集在一个较小的连续单元区域中。 时间上的局部性——最近的将来要用到的信息很可能就是现在正在使用的信息。主要由循环造成 空间上的局部性——最近的将来要用到的信息很可能与现在正在使用的信息在空间上是邻近的。主要由顺序执行和数据的聚集存放造成;5-2 随机存储器(RAM) ;六管静态RAM基本存储电路;;单管动态RAM基本存储电路;典型芯片：DRAM芯片Intel 2164A; 由行地址选通信号 ，将先送入的8位行地址送到片内行地址锁存器，然后由列地址选通信号 将后送入的8位列地址送到片内列地址锁存器。 16位地址信号选中64K个存储单元中的一个单元。刷新时，送入7位行地址，同时选中4个存储矩阵的同一行，即对4×128 = 512个存储单元进行刷新。 数据线是输入和输出分开的，由 信号控制读写。无专门的片选信号。;内部结构;5-3 只读存储器(ROM);1．掩模ROM 早期的ROM由半导体厂按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。 2．可编程序的只读存储器PROM (Programmable ROM) 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。 3. 可擦除可编程的只读存储器EPROM EPROM是可以反复（通常多于100次）擦除原来写入的内容，更新写入新信息的只读存储器。每次擦除需整片擦除。 4. 电可擦除可编程的只读存储器EEPROM EEPROM能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不丢失。它的擦除不需紫外光照射，写入时也不需要专门的编程设备。另外一个优点是擦除时可以??字节分别进行。;ROM芯片的组成：;典型芯片：EPROM 2732A;2732A 的方式选择;5-4 CPU与存储器的连接;一、存储器与CPU连接应考虑的问题 ;2．CPU总线的负载能力;二、 存储器容量的扩充;2．字（串联）扩充 用4片8K×8位芯片6264构成32K×8位的存储芯片组：;8K×8芯片;三、 片选译码方式;典型例题讲解：;WR; 通过分析地址线A19~A13为该系统的片间地址线；其中：A19~A16 作为74LS138译码器的使能控制线，而A15~A13 作为6264的片选信号线。 ;（3）画出该存储器的电路连线图：; 例2：2732EPROM芯片的译码简图电路如下图所示，请分析该芯片的地址范围及存储容量。;A;（2）由已知条件确定片内、片外地址线：; 例3：已知SRAM芯片及其引脚如下图所示，试利用该芯片构成地址为70000H~8FFFFH的8086存储器系统，试画出该系统的连接图。;（2）由已知条件确定片内、片外地址线：;CS; 例4：如下图，8086用两个译码器74LS138作为存储器I/O端口的地址选择。试写出两个译码器输出端CS0、CS7、PS0、PS7的基本寻址范围。 （给同学课后做）;第5章结束