7-_结型场效应晶体沟能.ppt

下载文档 降价啦

0
0
约小于1千字
约 46页
2017-08-19 发布于浙江
举报
版权申诉
保障服务

7-_结型场效应晶体沟能.ppt

1、本文档共46页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

7-_结型场效应晶体沟能

第七章结型场效应晶体管;讨论主题：;1.场效应晶体管介绍;1965年，按照摩尔老先生在文章中提出，芯片上集成的晶体管数量大约每18个月就将翻一番。 ;1974年，主频为2MHz的8位微处理器8080问世，它采用6微米工艺，集成了6000个晶体管。由于它采用了NMOS（N沟道MOS）电路，因此运算速度比8008快10倍，后者采用了PMOS（P沟道MOS）电路。之后，在1978年Intel又陆续推出了8086处理器，这时工艺已经缩减为3微米工艺，含2.9万个晶体管，频率有4.77MHz、8MHz和10MHz。;直到1993年，采用800纳米的奔腾（Pentium）的出世，让CPU全面从微米时代跨入了纳米时代。奔腾含有310万个晶体管，代表型号有Pentium 60（60MHz）和Pentium 66（66MHz）。此后，Intel又推出了奔腾75MHz～120MHz，制造工艺则提高到500纳米，此后CPU发展直接就跳转至350nm工艺时代。;0.35um;0.13um 2002年;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;双极型晶体管和场效应晶体管的异同：对比双极和FET: 速度,功耗,应用,工艺水平,控制方式(电压/电流).;场效应管的分类:;;2.JFET基本原理;;;;;;;3.直流特性;;;;;;;;;从输出特性看几个参数;总结;　4、绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理;　绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线;绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线-输出特性;　绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线;　绝缘栅型场效应晶体管-主要参数;　绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线