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DG5N60产品概述GeneralDescription主要参数MAIN
江苏东晨电子科技有限公司
JiangSu DongchenElectronics Technology Co.,Ltd
DG5N60
N沟道增强型场效应晶体管 版本号
N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 201603-A
产品概述 General Description
DG5N60是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东晨电子的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终
端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该产品能应用于多种功率开关电
路，使得电源能效更高，系统更加小型化。
DG5N60isanN-channelenhancementmodeMOSFET,which isproduced usingDongchen Electronics’s proprietary.
The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for
higherefficiency andsystemminiaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 符号 Symbol
VDSS 600 V
ID 5.0 A
RDS(ON) 1.8 Ω
Crss 10 pF
封装 Package
86-510 1 12
/
江苏东晨电子科技有限公司
JiangSu DongchenElectronics Technology Co.,Ltd
绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃)
参数名称 符号 数值 单位
Parameter Symbol Value Unit
漏极-源极直流电压
VDSS 600 V
Drain-SourceVoltage
连续漏极电流 Tc=25℃ 5*
ID
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