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MEMS工艺;MEMS加工工艺;Bulk micromachining ~1960;大机械制造小机械，小机械制造微机械 日本为代表，与集成电路技术几乎无法兼容;硅基微机械加工技术;;特点：;分类;硅的湿法腐蚀 1) 硅的各向同性腐蚀 腐蚀液对硅的腐蚀作用基本上不具有晶向依赖性.;2)硅的各向异性腐蚀;3)硅的各向异性停蚀技术;各向异性腐蚀特点：有完整的表平面和定义明确的锐角 ? 影响各向异性腐蚀的主要因素 (1) 溶液及配比 (2) 温度 (3) 掺杂浓度 例如：当硅片中掺B浓度增加到1020cm-3时，KOH溶液的腐蚀速率要降低到低掺杂浓度时的1/20,这样实际上就可利用高B掺杂区作为腐蚀阻挡层。;硅各向异性湿法腐蚀的缺点;体硅的干法刻蚀 ? 干法刻蚀体硅的专用设备:电感耦合等离子刻蚀机(ICP) ? 主要工作气体：SF6, C4F8 ? 刻蚀速率：2~3.5μm/min ? 深宽比：10:1 ? 刻蚀角度：90o±1o ? 掩膜：SiO2、Al、光刻胶;;? 微加工过程都是在硅片表面的一些薄膜上进行的，形成的是各种表面微结构，又称牺牲层腐蚀技术。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;关键技术;牺牲层技术;常用的牺牲层材料、腐蚀液及结构材料;一种最简单的悬臂梁工艺;工艺过程示意图;附加凸起点工艺;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;薄膜应力控制技术;防粘连技术;键合(bonding)技术;硅—玻璃静电键合技术;设高阻层厚度为d，电压为V，则高阻层内电场强度：;材料要求：;硅—硅直接键合技术;接触前硅片表面有OH基;压力传感器芯片;其他; 激光微机械加工技术;LIGA工艺;LIGA技术所胜任的几何结构不受材料特性和结晶方向的限制，较硅材料加工技术有一个很大的飞跃 LIGA技术可以制造具有很大纵横比的平面图形复杂的三维结构，尺寸精度达亚微米级，有很高的垂直度、平行度和重复精度，设备投资大 能实现高深宽比的三维结构，其关键是深层光刻技术。为实现高深宽比，纵向尺寸达到数百微米的深度刻蚀，并且侧壁光滑，垂直，要求：;三步关键工艺:;2. 电铸成形 电铸成形是根据电镀原理，在胎膜上沉积相当厚度金属以形成零件的方法。胎???为阴极、要电铸的金属作阳极。 利用电铸方法制作出与光刻胶图形相反的金属模具。 在LIGA工艺技术中，把初级模板（抗蚀剂结构）膜腔底面上利用电镀法形成一层镍或其他金属层，形成金属基底作为阴极，所要成形的微结构金属的供应材料（如镍、铜、银）作为阳极 电铸时，直到电铸形成的结构刚好把抗蚀剂模板的型腔填满 将整个浸入剥离溶剂中，对抗蚀剂形成的初级模板进行腐蚀剥离，剩下的金属结构即为所需求的微结构件;3.注塑 利用微塑铸制备微结构 将电铸制成的金属微结构作为二级模板 将塑性材料注入二级模板的膜腔，形成微结构塑性件，从金属模中提出 也可用形成的塑性件作为模板再进行电铸，利用LIGA技术进行三维微结构件的批量生产;优势;;;需要用产品：一根管子;工艺流程;LIGA电铸后的剖面结构;优点：加工材料可以是金属、塑料和陶瓷.器件结构深刻比高，厚度大、结构精细、侧壁陡峭、表面光滑; 激光微机械加工技术; 深等离子体刻蚀技术;紫外线厚胶刻蚀技术;三维表面光刻的抗蚀剂喷涂技术;封装是利用某种材料将芯片保护起来，并与外界隔离的方式和加工方法。;MEMS封装的要求;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;真空封装工艺设备(多功能真空键合机);多功能真空键合机功能： 1）低温焊料键合（通过中间材料进行键合）； 2）硅－玻璃阳极键合； 3）金－硅等共晶键合； 4）真空回流焊。 主要技术指标： 1）常温20℃，加热最高温度为550℃，精度±3℃，升温速度100℃/m 2）冷却时降温速度100℃/min； 3）极限真空度为4×10－4Pa， 4）对准精度为±2um， 5）加载压力：0～0.6MPa，可调。 ;MEMS封装分类;键合封装主要分为两步：;MEMS封装发展趋势;MEMS技术的发展趋势