大容量NANDFLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现.PDF

大容量 NAND FLASH 在 ARM 嵌入式系统中的设计与实现 1 引 言 随着嵌人式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、mp3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的 应用，FLASH存储器已经逐步取代其他半导体存储元件，成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。 FLASH存储器又称闪存，是一种可在线多次擦除的非易失性存储器，即掉电后数据不会丢失。FLASH 存储器还具有体积小、功耗低、抗振性强等优点，是嵌入式系统的首选存储设备。 NAND和NOR FLASH是现在市场上两种主要的非易失闪存芯片，这两种类型的FLASH区别在于： NOR类型FLASH可以按照字节访问，所以存放在FLASH里的程序可以直接执行，而NAND类型 FLASH 是串行访问的，需要先把程序读取到内存然后再从内存中运行。与NOR型相比，NAND型闪存的优点是容量 大，但是NAND 型的速度比较慢，因为他的I/O端口只有8(或16)个，要完成地址和数据的传输就必需让这 些信号轮流传送。NAND型FLASH具有极高的单元密度，容量可以比较大，价格相对便宜。本文采用Samsu ng公司的NAND 型FLASH存储设备K9F2808U0C。 2 系统硬件结构及接口电路 2.1 ARM芯片介绍 ARM公司自1990年正式成立以来，在32位RISC(Reduced Instruction Set Computer)CPU开发领 域不断取得突破，目前已经占有75％以上的32位RISC 嵌入式产品市场。在低功耗、低成本的嵌人式应用 领域确立了市场领导地位。 PHILIPS公司的LPC2210是基于一个支持实时仿真和跟踪的32位ARM7TDMI-STMCPU的微控制器，片 内128位宽度的存储器接口和独特的加速结构使32位代码能够在最大时钟频率下运行。LPC2210极低的功 耗、多个32位定时器、8路10位ADC以及9 个外部中断使其特别适用于工业控制、医疗系统、访问控制 和POS机。由于内置了宽范围的串行通信接口，他们也非常适合于通信网关、协议转换器、嵌入式软MODE M以及其他各种类型的 应用。 2.2 K9F2808U0C 芯片的结构和特点 K9F2808U0C是Samsung 公司生产的NAND型FLASH存储器，其功能框图如图1所示。 K9F2808U0C存储容量为132 Mb，其中主数据区为128 Mb，辅助数据区为4 Mb，工作电压为2.7～3. 6 V,I/O端口宽度为8 b。片内写控制自动实现编程和擦除所有功能，包括内部校验、脉冲的周期和数据冗 余。 芯片的存储空间是按照块和页的概念来组织的，一个芯片分为1 024个块，每个块有32页，每一页 有528 B。528 B中分为512 B 的数据区和16 个字节的空闲区，空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文 件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元，用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传 输。芯片的存储阵列组织如图2所示。 使用NAND型FLASH的关键技术之一是存储空间的管理。Samsung公司的NAND FLASH存储器有一些 初始无效块(包含一个或多个坏位的存储块)，制造商不保证这些块的可靠性。NAND FLASH容许成品中有坏 块存在，这是采用NAND技术所特有的现象。坏块的存在并不影响有效块的性能。但是，系统级的设计必须 能够用地址映射把这些坏块屏蔽掉。芯片在出厂时，除保存坏块信息的区域外，其他部分一律被擦除(值为 0xFF)，对坏块的读操作是允许的，但不推荐进行写和擦除操作，以免由于结构方面的原因使邻近的块也失 效。系统设计时必须根据初始的坏块信息识别出坏块，并建立坏块列表。进行写或擦除操作时将欲操作块 的地址与坏块地址表的地址相比较，若是坏块则应跳过。为了提高存储空间的效率，单个位数据错误引起 的读写失败都可以用ECC(校错和纠错)方法处理。 芯片在使用过程中，可能有新坏块的产生，为了系统的可靠性，必须对此情况加以考虑。在数据写 入或块擦除操作后，如果