自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 5$ !! $% !! ， ， ， W,+ )5$ V, ) !! V,X0:M0C $% （ ） !9%$PQ$%Q5$ !! Q$P!$9’ HRGH IST*URH *UVURH !$% RL4- ) ILY2 ) *,. ) !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 自旋极化电子从铁磁金属注入 半导体时自旋极化的计算 ） ） ） 李统藏! 刘之景! # 王克逸$ !）（中国科学技术大学近代物理系，合肥 $%$’ ） $ ）（中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，合肥 $%$( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $% ! !( $% % ! 对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系 等作了计算 所得结果与最新实验结果相符，并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率，偏压很小 ) 时电流自旋极化率几乎为零) 关键词：自旋极化电子注入， 模型，隧道磁电阻，非零偏压 *+,-./01234 ： ， ， !## (5( ($! (%67 ［］ 般只有 A !K —!K ( ，因而从理论上研究如何提高 !A 引 言 其注入效率，为实验提供指导作用就显得尤为重要) ［］ ［］ 最近， N 和 P 等人各自提出在铁磁金属和 F;2LM; O0C? 最近几年，自旋电子学（ ）得到了迅猛 2B4-?C,-4.2 半导体之间加一势垒，利用自旋相关隧穿电阻克服 发展 巨磁电阻效应（ ）在信息存储上的应用，已 ) DEF 这一缺陷，可大大提高自旋电子的注入效率) 但他们 ［，］ 经形成了数十亿美元的工业! $ ) 其后发现的室温隧 着重于讨论这种方法的可行性，而对电流自旋极化 道巨磁电阻（ ）效应已用于制造新的随机存储器