一种简单的带隙基准源.pdf

一种简单的带隙基准源1 胡浩，陈星弼 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都(610054) E-mail：huhao21@126.com 摘 要：文章提出了一种在两管带隙基准源基础上发展的简单基准源。电路用简单的结构， 用反馈环实现了有较高电源电压抑制比的基准输出。文中对反馈环的工作情况进行了分析。 基准输出的典型值为 1.255V，电源电压抑制比在低频下大约为60dB ，1MHz 时降到40dB ， -20℃至 120℃上温漂系数为 10ppm/℃。最后，文章指出了一些基准源版图设计需要注意的 地方。 关键词：带隙，基准源，高电源电压抑制比，低温漂系数 中图分类号：TN4 1．引言 模拟电路集成电路里广泛地包含电压基准。这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的 关系很小，但与温度的关系是确定的 [1] 。基准源有很多种，其中很大一部分是带隙基准源。 V 图1所示为带隙基准源的原理图。双极型晶体管BE结电压 温度系数在室温时大约为 BE -2.2mV/℃。另外热电压V 在室温时的温度系数为+0.085mV/ ℃。将V 电压乘以常数K 并和 t t V V 电压相加可得输出电压为 。令 并代入 和V 的温度系 V V KV + V / ∂T 0∂ BE ref BE t ref BE t V 数，可求得常数K 。它可使 的温度系数在理论上为0 。同时，由于 受电源电压变化的 V ref BE 影响很小，带隙基准源受电源的影响也很小。 已经有很多高精度、高电源电压抑制比和温度系数很低的基准源电路问世，但这些基准 源往往都比较复杂，本文提出一种在两管带隙基准源基础上发展的简单基准源电路，核心电 路只用了六个晶体管和3个电阻，实现了较高的电源电压抑制比和较低的温度系数。 2 ．两管能隙基准源原理 图 1 带隙基准原理 图2 两管带隙基准源原理 Q Q Q 图2 是一种两管带隙基准源原理图， 、 为两个基极相连的NPN 晶体管， 的发 1 2 1 A Q A R R I I I I n V，若V ，则 （ , 分别 射极面积 是 发射极面积 的 倍， 1 2 2 2 3 C1 C2 1 2 1 2 Q Q 很高，所以